[發(fā)明專利]蒸發(fā)設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410057314.5
• 申請(qǐng)日: 2014-02-20
• 公開（公告）號(hào): CN104711520B
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李秀奐;林宰圣;樸振佑
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/26
• 分類號(hào): C23C14/26;C23C14/04
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

1.一種蒸發(fā)設(shè)備，包括：

坩堝體，配置成在其中容納沉積材料；

加熱部，配置成蒸發(fā)容納在所述坩堝體中的所述沉積材料；

噴嘴部，配置成具有至少一個(gè)噴孔，所述沉積材料通過(guò)所述噴嘴部噴射；以及

多個(gè)分隔板，設(shè)置在所述坩堝體內(nèi)部以將所述坩堝體分為多個(gè)容納空間，所述多個(gè)分隔板具有開口，所述容納空間通過(guò)所述開口而彼此相通，

其中，所述分隔板和所述坩堝體具有不同的熱導(dǎo)率。

2.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)設(shè)備，其中，多個(gè)所述分隔板具有不同的熱導(dǎo)率。

3.如權(quán)利要求2所述的蒸發(fā)設(shè)備，其中，

多個(gè)所述分隔板包括第一分隔板和第二分隔板，所述第一分隔板具有低于所述坩堝體的第一熱導(dǎo)率的第二熱導(dǎo)率，所述第二分隔板具有高于所述第一熱導(dǎo)率的第三熱導(dǎo)率。

4.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)設(shè)備，其中，每個(gè)所述分隔板包括：

第一表面，配置成具有第一熱導(dǎo)率；以及

第二表面，配置成具有與所述第一熱導(dǎo)率不同的第二熱導(dǎo)率，其中所述第二表面與所述第一表面相對(duì)。

5.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)設(shè)備，其中，每個(gè)所述分隔板具有的開口的大小或數(shù)量與其它分隔板不同。

6.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)設(shè)備，其中，所述分隔板被設(shè)置成可附接至所述坩堝體并與所述坩堝體可分開。

7.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)設(shè)備，其中，所述坩堝體包括鈦，所述分隔板包括銅。

8.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)設(shè)備，還包括：

安裝在所述坩堝體的側(cè)部處的隔熱板。

9.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)設(shè)備，其中，所述坩堝體的底部表面被形成為具有不同高度。

10.如權(quán)利要求9所述的蒸發(fā)設(shè)備，其中，位于所述坩堝體的邊緣部分的底部表面被形成為比位于所述坩堝體的中心部分的底部表面高。