[發明專利]薄膜晶體管結構有效
| 申請號: | 201410055699.1 | 申請日: | 2014-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN103904129A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發明(設計)人: | 徐正洋;沈柏元;陳家芳 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/786 | 分類號: | H01L29/786;H01L29/08 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 結構 | ||
技術領域
本發明涉及一種晶體管結構,特別是涉及一種薄膜晶體管結構。
背景技術
傳統的薄膜晶體管液晶顯示器(thin-film?transistor?liquid-crystal?display,簡稱TFT-LCD)結構中,于液晶面板外圍焊接多個利用互補金屬氧化物半導體(complementary?metal?oxide?semiconductor,簡稱CMOS)制造工藝所制作的驅動芯片(IC)來完成驅動電路的配置。但如此則會提高了傳統TFT-LCD對于驅動IC的依賴性、制作成本,并且無法提高/TFT-LCD的集成度。
目前以及未來的趨勢以超大面板與超高分辨率的TFT-LED為主。因此為了提高TFT-LCD的集成度,利用柵極驅動電路基板(gate?on?array,GOA)技術來制作TFT-LCD則為目前的主流技術。GOA技術直接將柵極驅動電路制作在陣列基板上,來代替外接硅芯片與CMOS制造工藝所制作的驅動芯片的一種技術。如圖1所示,為現有技術的TFT-LCD中的GOA電路元件的上視圖。請參照圖1?,F有的TFT-LCD中的GOA電路元件100包括玻璃基板110以及配置于玻璃基板110上方的柵極層120、漏極層130與源極層140。在柵極層120上方,且位于漏極層130與源極層140之間的U形間隙為通道層區域150。此外,漏極層130包括條狀部132與多個指狀部134,其中條狀部132用以連接多個指狀部134。且由圖1的上視圖可看出,條狀部132是位于玻璃基板110上方,但并未位于柵極層120上方。
然而當面板尺寸越做越大,相對的GOA電路元件也需擴大增設,以便于提供更大的輸出電壓。但在超窄邊框的定制化需求下,GOA電路元件的擴大將導致邊框無法窄化的問題。如何縮減上述GOA電路元件的結構,以改進上述缺失,為發展本發明的主要目的。
發明內容
本發明提出一種薄膜晶體管結構,以縮減整體元件的尺寸。
為達上述優點或其它優點,本發明的一實施例提出一種薄膜晶體管結構,包含基底、柵極結構、半導體主動層、漏極結構與源極結構。上述柵極結構與半導體主動層皆設置于基底上方。上述漏極結構與源極結構皆設置于半導體主動層的第一表面上。上述源極結構與漏極結構之間至少形成一間隙,其中間隙沿半導體主動層的第一表面延伸且位于柵極結構的投影面積中。上述間隙的第一部分包含有第一直線段、第一彎曲段與第二彎曲段,其中第一彎曲段與第二彎曲段分別連接至第一直線段的第一端與第二端,且第一彎曲段與第二彎曲段的彎曲方向互為相反。
本發明另提出一種薄膜晶體管結構,包含基底、柵極結構、半導體主動層、漏極結構與源極結構。上述柵極結構與半導體主動層皆設置于基底上方。上述漏極結構與源極結構皆設置于半導體主動層的第一表面上。上述漏極結構具有朝第一方向延伸的條狀部以及多個相互平行的指狀部,其中上述多個指狀部分別垂直于條狀部且由條狀部朝外延伸。上述源極結構與上述條狀部之間形成多個間隙,其中間隙位于柵極結構的投影面積中。
綜上所述,本發明借由使得漏極結構與源極結構之間所形成的間隙,皆位于柵極導體層的投影面積中,以便于讓漏極結構與源極結構之間所形成的間隙皆可有效發揮通道層角色的最大效果。如此則可有效縮減電路元件尺寸,提高電路元件的集成度且提供更大的輸出電壓。因此本發明的薄膜晶體管結構可有效改進現有技術的擴大GOA電路元件的增設數量所導致的邊框無法窄化的問題。
為讓本發明的上述和其它目的、特征和優點能更明顯易懂,以下特舉較佳實施例,并配合所附附圖,作詳細說明如下。
附圖說明
圖1為現有技術的TFT-LCD中的GOA電路元件的上視圖;
圖2A~圖2B為本發明的一實施例的薄膜晶體管結構的上視示意圖;
圖2C為圖2A的沿A-A’切線的部分薄膜晶體管結構的剖面示意圖;
圖3為本發明的另一個實施例的薄膜晶體管結構的上視示意圖;
圖4為本發明的另一個實施例的薄膜晶體管結構的上視示意圖;
圖5為本發明的另一個實施例的薄膜晶體管結構的上視示意圖。
附圖標記
100:GOA電路元件???????????????110:玻璃基板
120:柵極層????????????????????130:漏極層
140:源極層????????????????????150:通道層區域
132、256:條狀部???????????????134、258:指狀部
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