[發(fā)明專利]薄膜晶體管結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410055699.1
• 申請日: 2014-02-19
• 公開（公告）號: CN103904129A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐正洋;沈柏元;陳家芳
• 申請（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/08
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

1.一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

一基底；

一柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基底上方；

一半導(dǎo)體主動層，設(shè)置于該基底上方；

一漏極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該半導(dǎo)體主動層的一第一表面上；以及

一源極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該半導(dǎo)體主動層的該第一表面上，該源極結(jié)構(gòu)與該漏極結(jié)構(gòu)間至少形成一間隙，該間隙沿該半導(dǎo)體主動層的該第一表面延伸且位于該柵極結(jié)構(gòu)的投影面積中，該間隙的一第一部分包含有一第一直線段、一第一彎曲段與一第二彎曲段；該第一彎曲段與該第二彎曲段分別連接至該第一直線段的一第一端與一第二端，該第一彎曲段與該第二彎曲段的彎曲方向互為相反。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該柵極結(jié)構(gòu)包含一柵極介電層以及一柵極導(dǎo)體層，該柵極介電層位于該柵極導(dǎo)體層與該半導(dǎo)體主動層之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該漏極結(jié)構(gòu)包含相互連接的一漏極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)以及一漏極導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，該源極結(jié)構(gòu)包含相互連接的一源極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)以及一源極導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該間隙為該漏極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)與該源極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)之間的間隙。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該漏極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)與該源極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)為具有N型摻雜的非晶硅層或多晶硅層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該間隙的一第二部分包含有一第二直線段、一第三彎曲段與一第四彎曲段，該第三彎曲段與該第四彎曲段分別連接至該第二直線段的一第一端與一第二端，該第三彎曲段與該第四彎曲段的彎曲方向互為相反，且該第三彎曲段連接至該第一部分的該第一彎曲段。

7.一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

一基底；

一柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基底上方；

一半導(dǎo)體主動層，設(shè)置于該基底上方；

一漏極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該半導(dǎo)體主動層的一第一表面上，具有一朝一第一方向延伸的條狀部以及多個(gè)相互平行的指狀部，該些指狀部與該條狀部垂直且由該條狀部朝外延伸；以及

一源極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該半導(dǎo)體主動層的該第一表面上，該源極結(jié)構(gòu)與該條狀部之間形成多個(gè)間隙，該間隙位于該柵極結(jié)構(gòu)的投影面積中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該條狀部與該指狀部連接處形成多個(gè)彎曲間隙，且該彎曲間隙位于該柵極結(jié)構(gòu)的投影面積中。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些指狀部沿該第一方向平行排列。

10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該漏極結(jié)構(gòu)包含一漏極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)以及一漏極導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，該源極結(jié)構(gòu)包含一源極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)以及一源極導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；該間隙為該漏極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)與該源極半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)之間的間隙。