[發(fā)明專(zhuān)利]PZT系鐵電薄膜及其形成方法和復(fù)合電子組件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410055655.9
• 申請(qǐng)日: 2014-02-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104072133A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 土井利浩;櫻井英章;曽山信幸;野口毅
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三菱綜合材料株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): C04B35/491
• 分類(lèi)號(hào): C04B35/491;C04B35/622
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;王珍仙

1.一種PZT系鐵電薄膜，其通過(guò)如下來(lái)形成，即在具有下部電極的基板的所述下部電極上涂布一次或兩次以上PZT系鐵電薄膜形成用組合物并進(jìn)行預(yù)燒結(jié)之后，通過(guò)燒成使其結(jié)晶，所述PZT系鐵電薄膜的特征在于，

所述薄膜由從所述薄膜表面測(cè)定時(shí)的平均粒徑在500～3000nm的范圍的PZT系粒子構(gòu)成，

在所述薄膜表面的晶界的一部分或全部中析出有平均粒徑為20nm以下的與所述PZT系粒子不同性質(zhì)的微粒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PZT系鐵電薄膜，其中，

每次涂布的所述薄膜的厚度在100～400nm的范圍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的PZT系鐵電薄膜，其中，

所述薄膜的總厚度在100～5000nm的范圍。

4.一種PZT系鐵電薄膜的形成方法，其在具有下部電極的基板的所述下部電極上涂布一次或兩次以上含有PZT前驅(qū)體的PZT系鐵電薄膜形成用組合物并進(jìn)行預(yù)燒結(jié)之后，通過(guò)燒成使其結(jié)晶，從而在所述下部電極上形成PZT系鐵電薄膜，所述形成方法的特征在于，

相對(duì)于所述組合物中所含的Ti及Zr的總計(jì)100mol，所述組合物包含105～115mol的Pb，

相對(duì)于1摩爾的所述PZT前驅(qū)體，所述組合物包含以單體換算計(jì)為0.15～0.50摩爾的高分子化合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的PZT系鐵電薄膜的形成方法，其中，

以每次涂布的所述薄膜的厚度為100～400nm范圍的方式設(shè)定所述組合物的單次涂布量。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的PZT系鐵電薄膜的形成方法，其中，

通過(guò)涂布一次或兩次以上所述組合物來(lái)得到總厚度在100～5000nm范圍的PZT系鐵電薄膜。

7.一種具有權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)中所述的PZT系鐵電薄膜或以權(quán)利要求4至6中任一項(xiàng)所述的方法形成的PZT系鐵電薄膜的薄膜電容器、電容器、集成無(wú)源器件、DRAM存儲(chǔ)器用電容器、層疊電容器、晶體管的柵極絕緣體、非易失性存儲(chǔ)器、熱釋電型紅外線檢測(cè)元件、壓電元件、電光元件、執(zhí)行器、諧振器、超聲波馬達(dá)、電氣開(kāi)關(guān)、光學(xué)開(kāi)關(guān)或LC噪聲濾波器元件的復(fù)合電子組件。