[發(fā)明專利]用于MOSFET應(yīng)用的可變緩沖電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410054781.2
• 申請日: 2014-02-18
• 公開（公告）號(hào): CN104052458B
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 雷燮光;潘繼
• 申請（專利權(quán)）人: 萬國半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H03K19/0185
• 分類號(hào): H03K19/0185
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種晶體管器件，其特征在于，包括：

一個(gè)或多個(gè)形成在半導(dǎo)體襯底中的柵控結(jié)構(gòu)，所述的一個(gè)或多個(gè)柵控結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或多個(gè)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)結(jié)構(gòu)，每個(gè)結(jié)構(gòu)都具有柵極端、漏極端和源極端；

一個(gè)緩沖電路，與一個(gè)或多個(gè)柵控結(jié)構(gòu)并聯(lián)，其中緩沖電路包括一個(gè)或多個(gè)電阻器，所述電阻器的電阻由開關(guān)時(shí)一個(gè)或多個(gè)柵控結(jié)構(gòu)的柵極電勢的變化控制。

2.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，一個(gè)或多個(gè)帶有動(dòng)態(tài)可控電阻的電阻器形成在一個(gè)或多個(gè)MOSFET結(jié)構(gòu)的柵極電極上方。

3.如權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于，一個(gè)或多個(gè)電阻器為三端電阻器，具有源極端、漏極端和柵極端，其中柵極端為一個(gè)或多個(gè)MOSFET結(jié)構(gòu)的柵極電極。

4.如權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于，所述的一個(gè)或多個(gè)帶有動(dòng)態(tài)可控電阻的電阻器為薄膜晶體管(TFT)MOSFET。

5.如權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于，所述的一個(gè)或多個(gè)帶有動(dòng)態(tài)可控電阻的電阻器為耗盡型MOSFET。

6.如權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于，所述的一個(gè)或多個(gè)帶有動(dòng)態(tài)可控電阻的電阻器為增強(qiáng)型MOSFET，與被動(dòng)電阻器并聯(lián)。

7.如權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于，所述的一個(gè)或多個(gè)帶有動(dòng)態(tài)可控電阻的電阻器為JFET。

8.一種晶體管器件，其特征在于，包括：

一個(gè)或多個(gè)形成在半導(dǎo)體襯底中的柵控結(jié)構(gòu)，所述的一個(gè)或多個(gè)柵控結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或多個(gè)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)結(jié)構(gòu)，每個(gè)結(jié)構(gòu)都具有柵極端、漏極端和源極端；

一個(gè)緩沖電路，與一個(gè)或多個(gè)柵控結(jié)構(gòu)并聯(lián)，其中緩沖電路包括一個(gè)或多個(gè)電阻器，所述電阻器的電阻由開關(guān)時(shí)一個(gè)或多個(gè)柵控結(jié)構(gòu)的漏極電勢的變化控制。

9.如權(quán)利要求8所述的器件，其特征在于，一個(gè)或多個(gè)帶有動(dòng)態(tài)可控電阻的電阻器形成在晶體管器件的端接區(qū)中，其中端接區(qū)中的半導(dǎo)體襯底短接，維持在一個(gè)或多個(gè)MOSFET結(jié)構(gòu)的漏極電勢。

10.如權(quán)利要求9所述的器件，其特征在于，所述的一個(gè)或多個(gè)電阻器為三端電阻器，具有源極端、漏極端和柵極端，其中柵極端為端接區(qū)中的半導(dǎo)體襯底，端接區(qū)維持在一個(gè)或多個(gè)MOSFET結(jié)構(gòu)的漏極電勢。

11.如權(quán)利要求9所述的器件，其特征在于，所述的一個(gè)或多個(gè)帶有動(dòng)態(tài)可控電阻的電阻器由開關(guān)時(shí)所述的一個(gè)或多個(gè)MOSFET結(jié)構(gòu)的柵極電勢的變化控制，并且其中一個(gè)或多個(gè)所述的帶有動(dòng)態(tài)可控電阻的電阻器由開關(guān)時(shí)所述的一個(gè)或多個(gè)MOSFET結(jié)構(gòu)的漏極電勢的變化控制。

12.如權(quán)利要求11所述的器件，其特征在于，由柵極電勢控制的一個(gè)或多個(gè)所述的電阻器，和由漏極電勢控制的一個(gè)或多個(gè)所述的電阻器相互并聯(lián)。

13.如權(quán)利要求11所述的器件，其特征在于，由柵極電勢控制的一個(gè)或多個(gè)所述的電阻器，和由漏極電勢控制的一個(gè)或多個(gè)所述的電阻器相互串聯(lián)。

14.如權(quán)利要求9所述的器件，其特征在于，所述的一個(gè)或多個(gè)帶有動(dòng)態(tài)可控電阻的電阻器為薄膜晶體管(TFT)MOSFET。

15.如權(quán)利要求9所述的器件，其特征在于，所述的一個(gè)或多個(gè)帶有動(dòng)態(tài)可控電阻的電阻器為耗盡型MOSFET。

16.如權(quán)利要求9所述的器件，其特征在于，所述的一個(gè)或多個(gè)帶有動(dòng)態(tài)可控電阻的電阻器為增強(qiáng)型MOSFET，與被動(dòng)電阻器并聯(lián)。

17.如權(quán)利要求9所述的器件，其特征在于，所述的一個(gè)或多個(gè)帶有動(dòng)態(tài)可控電阻的電阻器為JFET。