[發(fā)明專利]PZT系鐵電薄膜形成用組合物及其制法和PZT系鐵電薄膜形成法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410054324.3 | 申請日: | 2014-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN104072132B | 公開(公告)日: | 2017-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 土井利浩;櫻井英章;曽山信幸 | 申請(專利權(quán))人: | 三菱綜合材料株式會(huì)社 |
| 主分類號: | H01L41/187 | 分類號: | H01L41/187 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11018 | 代理人: | 康泉,王珍仙 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | pzt 系鐵電 薄膜 形成 組合 及其 制法 | ||
1.一種PZT系鐵電薄膜形成用組合物,其特征在于,
所述組合物包含PZT前驅(qū)體、二醇、水及碳鏈為6以上12以下的直鏈一元醇,并包含聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇,
所述組合物100質(zhì)量%中所占的所述PZT前驅(qū)體的濃度以氧化物濃度計(jì)為17~35質(zhì)量%,
所述組合物100質(zhì)量%中的所述二醇的比例為16~56質(zhì)量%,
所述聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇的比例相對于1摩爾的所述PZT前驅(qū)體為0.01~0.25摩爾,
所述水的比例相對于1摩爾的所述PZT前驅(qū)體為0.5~3摩爾,
所述組合物100質(zhì)量%中的所述直鏈一元醇的比例為0.6~10質(zhì)量%。
2.一種PZT系鐵電薄膜形成用組合物的制造方法,其特征在于,包括:
對所述組合物100質(zhì)量%中所占的濃度以氧化物濃度計(jì)為17~35質(zhì)量%的量的PZT前驅(qū)體、所述組合物100質(zhì)量%中的比例為16~56質(zhì)量%的量的二醇及相對于1摩爾的所述PZT前驅(qū)體的比例為0.5~3摩爾的量的水進(jìn)行混合并使其反應(yīng)來制備合成液的工序;
以130~175℃的溫度對所述合成液進(jìn)行0.5~3小時(shí)的回流的工序;
向所述回流的合成液添加所述組合物100質(zhì)量%中的比例為0.6~10質(zhì)量%的量的、碳鏈為6以上12以下的直鏈一元醇來制備溶膠-凝膠液的工序;
以100~175℃的溫度對所述溶膠-凝膠液進(jìn)行0.5~10小時(shí)的再次回流的工序;及
向進(jìn)行了所述再次回流的溶膠-凝膠液添加相對于1摩爾的PZT前驅(qū)體為0.01~0.25摩爾的量的聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇并使其均勻地分散的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PZT系鐵電薄膜形成用組合物,其中,
所述二醇為丙二醇或乙二醇。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的PZT系鐵電薄膜形成用組合物的制造方法,其中,
所述二醇為丙二醇或乙二醇。
5.一種PZT系鐵電薄膜的形成方法,其中,
在具有下部電極的基板的所述下部電極上涂布權(quán)利要求1所述的PZT系鐵電薄膜形成用組合物或以權(quán)利要求2所述的方法制造的PZT系鐵電薄膜形成用組合物,進(jìn)行預(yù)燒結(jié)之后,通過燒成使其結(jié)晶,由此在所述下部電極上形成薄膜。
6.一種具有以權(quán)利要求5所述的方法形成的PZT系鐵電薄膜的電容器、集成無源器件、晶體管的柵極絕緣體、非易失性存儲器、熱釋電型紅外線檢測元件、壓電元件、電光元件、執(zhí)行器、諧振器、超聲波馬達(dá)或LC噪聲濾波器元件的復(fù)合電子組件。
7.一種具有以權(quán)利要求5所述的方法形成的PZT系鐵電薄膜的薄膜電容器、DRAM存儲器用電容器或?qū)盈B電容器的復(fù)合電子組件。
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