[發明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法、TFT陣列基板、顯示裝置

在審

• 申請號: 201410054172.7
• 申請日: 2014-02-18
• 公開（公告）號: CN103824779A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 王守坤;郭會斌;劉曉偉;馮玉春;郭總杰
• 申請（專利權）人: 北京京東方顯示技術有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265;H01L29/786;H01L29/10;H01L21/77
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;安利霞

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

形成半導體有源層和摻雜半導體有源層的步驟；

形成源漏金屬層的步驟；

形成溝道區域的步驟；

在形成溝道區域的步驟之后，通過離子注入的方式，在所述溝道區域內的半導體有源層表面注入用于降低TFT漏電流的離子的步驟。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述離子為N離子、C離子或H離子。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，具體包括：

在基板上沉積柵金屬層，通過構圖工藝，得到柵極圖形；

在柵極上沉積柵絕緣層、半導體有源層和摻雜半導體有源層和源漏金屬層，通過構圖工藝得到溝道區域以及源電極、漏電極的圖形，并在源電極、漏電極的圖形上的光刻膠剝離之前、通過離子注入的方式，在所述溝道區域內的半導體有源層表面注入用于降低TFT漏電流的離子。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，具體包括：

在基板上沉積源漏金屬層，通過構圖工藝得到源電極、漏電極的圖形；

在源電極、漏電極上形成摻雜半導體有源層和半導體有源層，通過構圖工藝形成溝道區域；

通過離子注入的方式，在所述溝道區域內的半導體有源層表面注入用于降低TFT漏電流的離子。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述離子注入方式，所采用的注入離子能量為20KV～80KV。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述離子注入方式，所注入的離子劑量為2*10¹⁷/cm²～5*10¹⁸/cm²。

7.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管采用如權利要求1-6中任一項所述的薄膜晶體管的制作方法制作得到。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述離子為N離子時，所述半導體有源層注入離子部分所包含的Si、H、N的含量分別為30%～50%，4%～15%，35%～60%。

9.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述離子為C離子時，所述半導體有源層注入離子部分所包含的Si、H、C的含量分別為30%～50%，4%～15%，40%～60%。

10.一種TFT陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括如權利要求7-9所述的薄膜晶體管。

11.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求10所述的TFT陣列基板。