[發明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201410053576.4
• 申請日: 2014-02-17
• 公開（公告）號: CN103839915B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 汪梅林;儲培鳴
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: H01L23/50
• 分類號: H01L23/50;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 上海唯源專利代理有限公司 31229
• 代理人: 曾耀先

技術領域

本發明涉及顯示設備技術領域，特別涉及發光二極管顯示器技術領域，具體是指一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。?

背景技術

在現有的薄膜晶體管（TFT）陣列基板結構中，如圖1所示，靠近COG（Chip?On?Glass）側的電路中，VDD線11和VSS線13（VSS?out）、14（VSS?in）均用數據線所在金屬層布線，因為frit（玻璃料）膠12下方及周圍不能有有機膜存在，所以VDD線11和VSS線13、14直接和Frit膠12接觸，或者直接暴露在空氣中，容易受后續加工的影響，從而影響產品可靠性。?

同時，VDD線為OLED器件的電源，隨分辨率的提升，像素尺寸變小，工藝要求希望VDD電源線越寬越好，但現有的TFT基板中沒有足夠的空間排布VDD線。?

發明內容

本發明的目的是克服了上述現有技術中的缺點，提供一種利用增加一次光刻工藝，將VDD線和VSS線均在第一次光刻完成，埋在所有的絕緣層的下面，防止VDD線和VSS線直接暴露在空氣中或和Frit膠直接接觸，從而提升產品良率和性能可靠性，同時又能夠為排布更寬的電源線提供空間，很適用于分辨率更高的顯示設備，且結構簡單，制造方法相對簡便的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。?

為了實現上述的目的，本發明的薄膜晶體管基板具有如下構成：?

該薄膜晶體管基板包括底板、金屬膜、第一絕緣層、半導體層、第二絕緣層、第一金屬層、第三絕緣層和第二金屬層。?

其中，金屬膜形成于所述的底板之上，作為下電極，并圖案化形成的VDD線及VSS線。第一絕緣層形成于底板之上并覆蓋所述的金屬膜。半導體層形成于所述的第一絕緣層之上，具有圖案化形成的第一薄膜晶體管源極和第二薄膜晶體管的源極。第二絕緣層形成于所述的第一絕緣層和所述的半導體層之上。第一金屬層作為柵極金屬及上電極，?并圖案化形成的第一薄膜晶體管柵極以及第二薄膜晶體管的柵極和漏極。第三絕緣層形成于所述的第一金屬層之上，該第三絕緣層上開設有第一連接孔、第二連接孔、第三連接孔和第四連接孔，所述的第一連接孔暴露所述的半導體層上第一薄膜晶體管源極，所述的第二連接孔暴露所述的第一薄膜晶體管源極和第二薄膜晶體管的柵極；所述的第三連接孔暴露所述的VDD線及第二薄膜晶體管的漏極；所述的第四連接孔暴露所述的半導體層上第二薄膜晶體管源極。第二金屬層形成于所述的第三絕緣層之上，具有圖案化形成的數據線，所述的數據線通過所述的第一連接孔連接所述的第一薄膜晶體管源極；所述的數據線通過所述的第二連接孔電性連接所述的第一薄膜晶體管源極與第二薄膜晶體管的柵極；該數據線通過所述的第三連接孔電性連接所述的VDD線及第二薄膜晶體管的漏極；所述的數據線通過所述的第四連接孔連接所述的第二薄膜晶體管源極。?

該薄膜晶體管基板還包括形成于所述的第二金屬層之上的平坦化層，在該平臺化層上與所述的第四連接孔對應的位置上設置有暴露出連接第二薄膜晶體管源極的數據線的開孔。?

該薄膜晶體管基板還包括形成于所述的平臺化層之上的第三金屬層作為OLED陽極，通過所述的數據線連接所述的第二薄膜晶體管源極。?

該薄膜晶體管基板中，所述的第一薄膜晶體管為開關薄膜晶體管，所述的第二薄膜晶體管為驅動薄膜晶體管。?

該薄膜晶體管基板中，所述的半導體層為多晶硅層。?

本發明還提供了一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，該方法包括以下步驟：?

（1）在底板上生長一層金屬膜形成下電極、圖案化的VDD線及VSS線；?

（2）在所述的底板和所述的金屬膜之上生長第一絕緣層；?

（3）在所述的第一絕緣層上生長半導體層，并將該半導體層圖案化形成的第一薄膜晶體管源極和第二薄膜晶體管的源極；?

（4）在所述的第一絕緣層和所述的半導體層上生長第二絕緣層；?

（5）在所述的第二絕緣層上生長第一金屬層作為柵極金屬及上電極，并將該第一金屬層圖案化形成第一薄膜晶體管柵極以及第二薄膜晶體管的柵極和漏極；?

（6）在所述的第一金屬層上生長第三絕緣層，并在該第三絕緣層上開設第一連接孔、第二連接孔、第三連接孔和第四連接孔，所述的第一連接孔暴露所述的半導體層上第一薄膜晶體管源極，所述的第二連接孔暴露所述的第一薄膜晶體管源極和第二薄膜晶體管的柵極；所述的第三連接孔暴露所述的VDD線及第二薄膜晶體管的漏極；所述的?第四連接孔暴露所述的半導體層上第二薄膜晶體管源極；?