[發明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201410053576.4
• 申請日: 2014-02-17
• 公開（公告）號: CN103839915B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 汪梅林;儲培鳴
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: H01L23/50
• 分類號: H01L23/50;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 上海唯源專利代理有限公司 31229
• 代理人: 曾耀先

1.一種薄膜晶體管基板，其特征在于，包括：

底板；

金屬膜，形成于所述的底板之上，具有下電極、圖案化形成的VDD線及VSS線；

第一絕緣層，形成于所述的底板之上并覆蓋所述的金屬膜；

半導體層，形成于所述的第一絕緣層之上，具有圖案化形成的第一薄膜晶體管的源極和第二薄膜晶體管的源極；

第二絕緣層，形成于所述的第一絕緣層和所述的半導體層之上；

第一金屬層，具有上電極、圖案化形成的第一薄膜晶體管的柵極、以及第二薄膜晶體管的柵極和漏極；

第三絕緣層，形成于所述的第一金屬層之上，該第三絕緣層上開設有第一連接孔、第二連接孔、第三連接孔和第四連接孔；所述的第一連接孔暴露所述的半導體層上第一薄膜晶體管源極，所述的第二連接孔暴露所述的第一薄膜晶體管源極和第二薄膜晶體管的柵極，所述的第三連接孔暴露所述的VDD線及第二薄膜晶體管的漏極，所述的第四連接孔暴露所述的半導體層上第二薄膜晶體管源極；

第二金屬層，形成于所述的第三絕緣層之上，具有圖案化形成的數據線；所述的數據線通過所述的第一連接孔連接所述的第一薄膜晶體管源極；所述的數據線通過所述的第二連接孔電性連接所述的第一薄膜晶體管源極與第二薄膜晶體管的柵極；所述的數據線通過所述的第三連接孔電性連接所述的VDD線及第二薄膜晶體管的漏極；所述的數據線通過所述的第四連接孔連接所述的第二薄膜晶體管的源極。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，還包括：

平坦化層，形成于所述的第二金屬層之上，在該平臺化層中與所述的第四連接孔對應的位置上設置有開孔，以暴露出連接第二薄膜晶體管的源極的數據線。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，還包括：

第三金屬層，形成于所述的平臺化層之上，作為OLED陽極，通過所述的數據線連接所述的第二薄膜晶體管的源極。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述的第一薄膜晶體管為開關薄膜晶體管，所述的第二薄膜晶體管為驅動薄膜晶體管。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述的半導體層為多晶硅層。

6.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述的方法包括以下步驟：

（1）在底板上生長一層金屬膜形成下電極、圖案化的VDD線及VSS線；

（2）在所述的底板和所述的金屬膜之上生長第一絕緣層；

（3）在所述的第一絕緣層上生長半導體層，并將該半導體層圖案化形成的第一薄膜晶體管的源極和第二薄膜晶體管的源極；

（4）在所述的第一絕緣層和所述的半導體層上生長第二絕緣層；

（5）在所述的第二絕緣層上生長第一金屬層作為柵極金屬及上電極，并將所述的第一金屬層圖案化形成第一薄膜晶體管柵極以及第二薄膜晶體管的柵極和漏極；

（6）在所述的第一金屬層上生長第三絕緣層，并在該第三絕緣層上開設第一連接孔、第二連接孔、第三連接孔和第四連接孔；所述的第一連接孔暴露所述的半導體層上第一薄膜晶體管源極，所述的第二連接孔暴露所述的第一薄膜晶體管源極和第二薄膜晶體管的柵極；所述的第三連接孔暴露所述的VDD線及第二薄膜晶體管的漏極；所述的第四連接孔暴露所述的半導體層上第二薄膜晶體管源極；

（7）在所述的第三絕緣層上生長第二金屬層，并圖案化該第二金屬層形成數據線；所述的數據線通過所述的第一連接孔連接所述的第一薄膜晶體管源極；所述的數據線通過所述的第二連接孔電性連接所述的第一薄膜晶體管源極與第二薄膜晶體管的柵極；該數據線通過所述的第三連接孔電性連接所述的VDD線及第二薄膜晶體管的漏極；所述的數據線通過所述的第四連接孔連接所述的第二薄膜晶體管源極，并利用該數據線向所述的存貯電容寫入數據電壓。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述的方法還包括以下步驟：

（8）在所述的第二金屬層上生長有機膜作為平坦化層，在所述的平臺化層中與所述的第四連接孔對應的位置上開設開孔，以暴露出連接第二薄膜晶體管的源極的數據線。