[發(fā)明專利]一種陶瓷電容失效的分析方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410053562.2
• 申請日: 2014-02-17
• 公開（公告）號: CN103884952A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜海濤
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市易瑞來科技開發(fā)有限公司
• 主分類號: G01R31/02
• 分類號: G01R31/02;G01N21/88
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子設(shè)備中陶瓷電容領(lǐng)域，尤其涉及一種陶瓷電容失效的分析方法。

背景技術(shù)

陶瓷電容（ceramic?capacitor）是使用陶瓷作為電介質(zhì)，通過在陶瓷基體兩面噴涂銀層，然后經(jīng)低溫?zé)摄y質(zhì)薄膜作為極板即可制成。陶瓷電容是電子產(chǎn)品中大量使用的主要元件之一，具有容量大、體積小、電容量穩(wěn)定、耐高溫耐蝕性好和適合表面安裝等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電子整機(jī)中的振蕩、高頻濾波、電源退耦和旁路電路中。

由于在陶瓷電容的實(shí)際生產(chǎn)和使用中經(jīng)常會出現(xiàn)陶瓷電容的失效問題，從而影響產(chǎn)品的整機(jī)性能，因此，對失效產(chǎn)品進(jìn)行失效分析具有非常積極的現(xiàn)實(shí)意義。現(xiàn)有的陶瓷電容的失效分析方法是將失效陶瓷電容制成金相切片樣品，采用機(jī)械研磨的方法研磨至陶瓷電容的內(nèi)部，并在金相顯微鏡或掃描電子顯微鏡下觀察切片形貌。如果未發(fā)現(xiàn)異常，就重復(fù)進(jìn)行研磨以供觀察，通常在研磨出3個截面后停止。

但在實(shí)際分析中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，這種分析方法對于分析陶瓷電容嚴(yán)重機(jī)械損傷、熱應(yīng)力損傷較為有效，且分析過程簡單，但對于分析陶瓷電容因內(nèi)部微裂紋缺陷而導(dǎo)致短路的情況則不具有指導(dǎo)意義。所以，亟需提供一種對陶瓷電容內(nèi)部的短路部位進(jìn)行判斷、定位、分析的方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陶瓷電容失效的分析方法，以能夠準(zhǔn)確分析出陶瓷電容的內(nèi)部缺陷，提高分析成功率。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

一種陶瓷電容失效的分析方法，包括：

對待分析的陶瓷電容進(jìn)行阻值測試，將測得的阻值記為初始阻值，并根據(jù)所述初始阻值判斷所述待分析的陶瓷電容的失效狀態(tài)；

將所述待分析的陶瓷電容制成金相切片樣品，研磨，在研磨過程中對阻值進(jìn)行實(shí)時測試，并將測得的阻值記為測試值；

當(dāng)所述測試值的變化量超過所述初始阻值的10%時，停止研磨，定位觀察所述待分析的陶瓷電容的缺陷部位；

對所述缺陷部位進(jìn)行綜合分析，確定所述待分析的陶瓷電容的失效原因。

可選的，所述將所述待分析的陶瓷電容制成金相切片樣品包括：

對所述待分析的陶瓷電容的外部進(jìn)行澆注后再制成金相切片樣品。

進(jìn)一步的，所述澆注是通過環(huán)氧樹脂進(jìn)行澆注。

可選的，所述研磨為機(jī)械研磨。

進(jìn)一步的，所述研磨包括：

先用300-800目金剛砂紙研磨至所述待分析的陶瓷電容的內(nèi)部電極，再用800目或以上的金剛砂紙進(jìn)行細(xì)磨。

可選的，所述在研磨過程中對阻值進(jìn)行實(shí)時測試為：

在用800目或以上的金剛砂紙對所述待分析的陶瓷電容的內(nèi)部電極進(jìn)行細(xì)磨時對阻值進(jìn)行實(shí)時測試。

進(jìn)一步的，所述實(shí)時測試為使用萬用表對所述待分析的陶瓷電容的內(nèi)部電極進(jìn)行測試。

可選的，所述定位觀察所述待分析的陶瓷電容的缺陷部位包括：

先利用光誘導(dǎo)電阻變化分析技術(shù)對所述待分析的陶瓷電容的缺陷部位進(jìn)行定位，然后將定位的缺陷部位置于金相顯微鏡下進(jìn)行觀察。

進(jìn)一步的，所述置于金相顯微鏡下進(jìn)行觀察是在所述金相顯微鏡的暗場下進(jìn)行觀察。

可選的，所述分析方法在所述對待分析的陶瓷電容進(jìn)行阻值測試，將測得的阻值記為初始阻值之前還包括：

對所述待分析的陶瓷電容進(jìn)行外觀鏡檢，確認(rèn)所述待分析的陶瓷電容的表面形貌。

可選的，所述失效狀態(tài)包括短路和漏電。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陶瓷電容失效的分析方法，與現(xiàn)有的分析方法相比不同的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的方法在對待分析的陶瓷電容進(jìn)行分析時不但對待分析的陶瓷電容進(jìn)行了有效地保護(hù)，還通過對其進(jìn)行實(shí)時的阻值測試，使其內(nèi)部的缺陷部位在被定位分析前較好地避免了外界不必要的應(yīng)力干擾，從而能夠準(zhǔn)確的分析出陶瓷電容的內(nèi)部缺陷，提高分析成功率。該方法簡單、易操作，具有較強(qiáng)的適用性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的陶瓷電容失效的分析方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的利用光誘導(dǎo)電阻變化分析技術(shù)定位得到的缺陷部位示意圖；

圖3為圖2中缺陷部位的局部放大示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。