[發明專利]一種陶瓷電容失效的分析方法

有效

• 申請號: 201410053562.2
• 申請日: 2014-02-17
• 公開（公告）號: CN103884952A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 杜海濤
• 申請（專利權）人: 深圳市易瑞來科技開發有限公司
• 主分類號: G01R31/02
• 分類號: G01R31/02;G01N21/88
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陶瓷電容失效的分析方法，其特征在于，包括：

對待分析的陶瓷電容進行阻值測試，將測得的阻值記為初始阻值，并根據所述初始阻值判斷所述待分析的陶瓷電容的失效狀態；

將所述待分析的陶瓷電容制成金相切片樣品，研磨，在研磨過程中對阻值進行實時測試，并將測得的阻值記為測試值；

當所述測試值的變化量超過所述初始阻值的10%時，停止研磨，定位觀察所述待分析的陶瓷電容的缺陷部位；

對所述缺陷部位進行綜合分析，確定所述待分析的陶瓷電容的失效原因。

2.根據權利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述將所述待分析的陶瓷電容制成金相切片樣品包括：

對所述待分析的陶瓷電容的外部進行澆注后再制成金相切片樣品。

3.根據權利要求2所述的分析方法，其特征在于，所述澆注是通過環氧樹脂進行澆注。

4.根據權利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述研磨為機械研磨。

5.根據權利要求4所述的分析方法，其特征在于，所述研磨包括：

先用300-800目金剛砂紙研磨至所述待分析的陶瓷電容的內部電極，再用800目或以上的金剛砂紙進行細磨。

6.根據權利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述在研磨過程中對阻值進行實時測試為：

在用800目或以上的金剛砂紙對所述待分析的陶瓷電容的內部電極進行細磨時對阻值進行實時測試。

7.根據權利要求6所述的分析方法，其特征在于，所述實時測試為使用萬用表對所述待分析的陶瓷電容的內部電極進行測試。

8.根據權利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述定位觀察所述待分析的陶瓷電容的缺陷部位包括：

先利用光誘導電阻變化分析技術對所述待分析的陶瓷電容的缺陷部位進行定位，然后將定位的缺陷部位置于金相顯微鏡下進行觀察。

9.根據權利要求8所述的分析方法，其特征在于，所述置于金相顯微鏡下進行觀察是在所述金相顯微鏡的暗場下進行觀察。

10.根據權利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述分析方法在所述對待分析的陶瓷電容進行阻值測試，將測得的阻值記為初始阻值之前還包括：

對所述待分析的陶瓷電容進行外觀鏡檢，確認所述待分析的陶瓷電容的表面形貌。

11.根據權利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述失效狀態包括短路和漏電。