[發明專利]固體攝像裝置的制造方法以及固體攝像裝置在審
| 申請號: | 201410052699.6 | 申請日: | 2014-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN104347648A | 公開(公告)日: | 2015-02-11 |
| 發明(設計)人: | 蘆立浩明 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 楊謙;胡建新 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 裝置 制造 方法 以及 | ||
1.一種固體攝像裝置的制造方法,包括以下步驟:
在第一導電型的半導體層上矩陣狀地二維排列第二導電型的半導體區域,來形成多個光電轉換元件,
通過以劃分所述半導體層的方式形成俯視格子狀的槽,來將所述光電轉換元件整形為俯視矩形形狀,
將被整形為俯視矩形形狀的所述光電轉換元件整形為角的數量比矩形多的俯視凸多邊形形狀,
在被絕緣膜覆蓋了所述槽的內周面之后,在被該絕緣膜覆蓋的槽中設置遮光部件,來形成元件分離區域。
2.根據權利要求1所述的固體攝像裝置的制造方法,包括以下步驟:
利用使用了堿性藥液的各向異性濕法刻蝕,將所述光電轉換元件整形為所述俯視凸多邊形形狀。
3.根據權利要求2所述的固體攝像裝置的制造方法,包括以下步驟:
通過形成所述槽,使所述光電轉換元件中的密勒指數為[100]的面和與密勒指數[100]等效的面露出,
通過進行所述各向異性濕法刻蝕,使所述光電轉換元件中的密勒指數為[110]的面和與密勒指數[110]等效的面露出。
4.根據權利要求1所述的固體攝像裝置的制造方法,包括以下步驟:
利用各向同性干法刻蝕,將所述光電轉換元件整形為所述俯視矩形形狀。
5.根據權利要求1所述的固體攝像裝置的制造方法,
所述俯視凸多邊形形狀是俯視八邊形形狀。
6.根據權利要求1所述的固體攝像裝置的制造方法,
所述槽的底面是密勒指數為[111]的面。
7.一種固體攝像裝置,具備:
第一導電型的半導體層;
多個光電轉換元件,由在所述半導體層上矩陣狀地二維排列的第二導電型的半導體區域形成,形成為角的數量比矩形多的俯視凸多邊形形狀;以及
元件分離區域,被設置成劃分所述半導體層,并具有與所述光電轉換元件之間的界面被絕緣膜覆蓋的遮光部件。
8.根據權利要求7所述的固體攝像裝置,
所述光電轉換元件被形成為俯視八邊形形狀,對從所述光電轉換元件的與設置有布線層的一側相反的一側的受光面入射的光進行光電轉換。
9.根據權利要求7所述的固體攝像裝置,
俯視凸多邊形形狀的所述光電轉換元件具備密勒指數為[100]的側面、與密勒指數[100]等效的側面、密勒指數為[110]的側面以及與密勒指數[110]等效的側面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





