[發明專利]勻膠版制造工藝有效
| 申請號: | 201410052503.3 | 申請日: | 2014-02-14 |
| 公開(公告)號: | CN103823330B | 公開(公告)日: | 2017-07-14 |
| 發明(設計)人: | 石孟陽;熊波;莊奎乾;謝慶豐 | 申請(專利權)人: | 深圳市科利德光電材料股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/60 | 分類號: | G03F1/60;G03F1/68 |
| 代理公司: | 深圳市翼智博知識產權事務所(普通合伙)44320 | 代理人: | 李新梅 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 膠版 制造 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及勻膠版的制造,特別是涉及大尺寸勻膠版的制造工藝。
背景技術
勻膠版是一種硬面光掩模基版,具有高的感光靈敏度、高分辨率、低缺陷密度、耐磨性好、易清潔處理、使用壽命長等特點,被廣泛應用于IC、LCD、PCB、PDP等產品掩膜版的制作,是當前及未來微細加工光掩膜制作的主流感光材料。
勻膠版具有幾種常規尺寸,如450mm*550mm、406.4mm*457.2mm等,相應地勻膠版的生產設備也是根據其常規尺寸相配備的,當需要制作常用尺寸的勻膠版時,則需要更改現有的生產設備或另外制造相匹配的設備,前者會對這個制造工藝的穩定性造成一定的影響,后者則會大幅度的增加生產成本,另外,對于大尺寸的勻膠版的生產,以現有生產設備和工藝標準會存在一系列問題,如拋光機擺臂范圍超出、拋光粉痕跡清洗不掉、旋涂機功率小慣性過大等。
發明內容
有鑒于此,提供一種勻膠版制造工藝,適用于非常規的大尺寸的勻膠版的生產制造。
一種勻膠版制造工藝,包括以下步驟:拋光,提供所要生產的勻膠版提供相應尺寸的玻璃基板并進行拋光處理,所述拋光處理包括粗拋與精拋兩次拋光處理;清洗,清洗時在清洗機的水箱內增加支撐架支撐拋光后的玻璃基板,并將風刀設置于第二段對玻璃基板進行吹干;鍍膜,在清洗后的玻璃基板上先鍍一層氮化金屬膜,然后再鍍一層氮化金屬膜和一層氧化金屬膜;涂膠,在玻璃基板的膜上涂一層光刻膠,所述光刻膠采用采用靜止滴膠的方式邊旋轉邊滴膠;以及堅膜,玻璃基板在涂膠后先水平靜置,再豎立烘焙堅膜。
本發明勻膠版生成工藝在利用常規尺寸勻膠版的制造設備的基礎上,通過對各環節工藝參數的改進,生產出非常規的大尺寸的勻膠版,大幅縮減了生產成本。
附圖說明
圖1為本發明勻膠版制造工藝流程圖。
具體實施方式
以下將結合附圖及具體實施方式對本發明進行詳細說明。
本發明勻膠版制造工藝用于生產制造非常規的大尺寸的勻膠版,如規格為508mm*609mm的勻膠版等,利用現有常規尺寸的勻膠版的生產設備,最大程度上縮減生產成本。如圖1所示,本發明勻膠版的生產工藝包括以下步驟:拋光、清洗、鍍膜、涂膠以及堅膜。以下以生產508mm*609mm的勻膠版為例,對本發明勻膠版制造工藝進行詳細說明。
首先,根據所要制造的勻膠版的尺寸提供相應尺寸的玻璃基板,并對玻璃基板進行拋光處理使其達到較高的平整度與光潔度。
所述玻璃基板可以是鈉鈣玻璃板、硼硅玻璃板、石英玻璃板等。如本實施例中所使用的玻璃基板的尺寸為508mm*609mm*4.8mm,進行拋光時,缺陷點大,通過粗拋、精拋兩次拋光的方式,采用現有拋光粉,第一次粗拋按正反兩面拋光30分鐘,當缺陷被拋掉后,第二次精拋時間為正面小于1分鐘,反面1-3分鐘,把缺陷研磨在接受范圍內,同時玻璃基板背面殘留的拋光粉痕跡得到有效的處理,便于后續清洗。在拋光過程中,為避免撞到四周的圍欄,可以適當調小拋光機搖臂擺幅。
在拋光完成后,需要對玻璃基板進行清洗,去除玻璃基板表面的碎屑、灰塵、殘留的拋光粉等。
由于所使用的玻璃基板較常規尺寸大,玻璃基板的重量也相應地更大,拋光后手直接清潔很費力,可以在水箱內加一個支撐架后得到較好清洗效果。清洗時,由于風刀第一段水量較大,大尺寸的玻璃基板離風刀口太近,導致吹得不是特別干凈,第二段再用風刀吹的時候會留下印子,經過對風刀的多次試驗更換調節,將風刀由原來放置在第一段改在第二段,第一段風刀停止不用,避免一次性風刀不能吹干表面,引起的水漬現象。另外,可以相應地更改滾刷及滾刷出的嚙合齒輪,使大尺寸的玻璃基板可以順暢通過滾刷段,如將滾刷加長至510mm。
經過清洗之后,即進行鍍膜,在玻璃板上生成氮化/氧化金屬膜層。
由于常規鍍膜車架并不適合大尺寸的玻璃基板鍍膜,可以將2個限制的常規鍍膜車架更改成大尺寸玻璃基板鍍膜的專用車架。所述鍍膜包括兩次鍍膜,第一次在玻璃基板上只鍍一層氮化金屬膜,鍍膜時電流調小一倍。第一次鍍膜之后進行清洗,然后再進行第二次鍍膜,第二次鍍膜是在玻璃基板上鍍一層氮化金屬膜和一層氧化金屬膜,兩次鍍膜所形成氮化/氧化金屬膜層,針孔非常少,制版后效果顯著。
鍍膜完成后,即進行涂膠操作,在玻璃基板的氮化/氧化金屬膜層上涂覆光刻膠。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





