[發明專利]一種掩膜板支撐裝置和清洗掩膜板的方法在審
| 申請號: | 201410050506.3 | 申請日: | 2014-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN104849955A | 公開(公告)日: | 2015-08-19 |
| 發明(設計)人: | 張士健 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/64 | 分類號: | G03F1/64;G03F1/82 |
| 代理公司: | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人: | 高偉;趙禮杰 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 掩膜板 支撐 裝置 清洗 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體技術領域,具體而言涉及一種掩膜板支撐裝置和清洗掩膜板的方法。
背景技術
在半導體技術領域中,半導體器件的制程中的許多工藝步驟都需要通過光刻技術實現,而在光刻技術中,掩膜板作為不可或缺的設備,起著至關重要的作用。
掩膜板的清潔與否,直接關系著最終制得的半導體器件的良率。在半導體器件制程中,當發現掩膜板上存在污染物(例如雜質顆粒或其他污染物)時,一般就需要對掩膜板進行清洗。目前,對掩膜板進行清洗的方法主要包括如下三種:(1)使用氮氣(N2)對污染物進行吹掃,以去除污染物;(2)使用蘸有丙酮的棉簽對污染物進行擦拭去除;(3)使用清洗液對掩膜板進行清洗。其中,第一種和第二種清洗方法,去除污染物的效果往往并不理想。因此,一般都需要采用第三種清洗方法對掩膜板進行清洗。
現有技術中,一種典型的掩膜板,在使用過程中,需要在掩膜板100上設置掩膜板保護膜(pellicle)101,如圖1A所示。其中,掩膜板保護膜(pellicle)的作用是防止在掩膜板的使用過程中雜質顆粒對掩膜板100的下表面造成污染。對于設置有掩膜板保護膜的掩膜板,在使用過程中,掩膜板100的上表面很有可能被污染。在現有技術中,采用上述第三種方法對該設置有掩膜板保護膜的掩膜板進行清洗時,一般包括如下步驟:
步驟E1:去除設置于掩膜板100上的掩膜板保護膜101,如圖1B所示。其中,污染物600位于掩膜板100的上表面。
步驟E2:將掩膜板100放置于清洗裝置的支撐件102上,使用清洗液對掩膜板100進行清洗,如圖1C所示。清洗的方法,可以為噴淋或其他方法。
步驟E3:將清洗完畢的掩膜板100進行旋轉烘干,如圖1D所示。
步驟E4:在掩膜板100上組裝掩膜板保護膜101,如圖1E所示。
上述這一掩膜板的清洗方法,由于需要在清洗前后分別拆裝掩膜板保護膜101,因此,往往工藝比較復雜,且成本較高。
由此可見,在現有技術中,在清洗設置有掩膜板保護膜的掩膜板時,存在工藝復雜和成本較高的問題。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明提供一種掩膜板支撐裝置,可以用于設置有掩膜板保護膜的掩膜板的清洗工藝中,能夠簡化清洗工藝,降低成本。
本發明實施例一提供一種掩膜板支撐裝置,包括用于支撐掩膜板的框架以及設置于所述框架底部并與所述框架組成容置空間的底板;其中,所述框架的外側設置有用于防止掩膜板水平移動的防滑擋板,所述防滑擋板的頂端高于所述框架的頂端。
其中,所述框架的各個側壁的高度相同。
可選地,所述底板為矩形,所述框架由首尾相連的四個矩形的側壁組成,其中,每個側壁的底邊與所述底板的一條邊相連。
可選地,所述框架的至少兩個相對的側壁之上設置有所述防滑擋板。
可選地,所述框架的四個側壁之上均具有所述防滑擋板,并且,所述防滑擋板首尾相連形成位于所述框架外側的防滑框架。
可選地,所述防滑擋板的底端高于所述框架的底端。
可選地,所述框架的頂端設置有用于吸附掩膜板的吸附裝置。
可選地,所述框架、所述底板與所述防滑擋板為一體成型的結構。
可選地,所述框架、所述底板與所述防滑擋板的材料為聚四氟乙烯。
本發明實施例二提供一種清洗掩膜板的方法,所述方法包括:
步驟S101:將掩膜板放置于掩膜板支撐裝置之上,其中,所述掩膜板的設置有掩膜板保護膜的一側朝向所述框架與所述底板組成的容置空間;
步驟S102:對所述掩膜板進行清洗并進行干燥處理;
步驟S103:從所述掩膜板支撐裝置上取下所述掩膜板。
本發明的掩膜板支撐裝置,具有設置于框架底部并與框架組成容置空間的底板,可以在清洗掩膜板時防止掩膜板保護膜被清洗液腐蝕。在進行掩膜板清洗時,可以省略去除和安裝掩膜板保護膜的步驟,降低工藝復雜度和成本。本發明的清洗掩膜板的方法,應用了該掩膜板支撐裝置,省略了去除和安裝掩膜板保護膜的步驟,降低了工藝復雜度和成本。
附圖說明
本發明的下列附圖在此作為本發明的一部分用于理解本發明。附圖中示出了本發明的實施例及其描述,用來解釋本發明的原理。
附圖中:
圖1A-1E為現有技術中的一種清洗掩膜板的方法的各步驟的示意圖;
圖2A為本發明實施例一的掩膜板支撐裝置的一種俯視圖;
圖2B為本發明實施例一的掩膜板支撐裝置的一種示意性剖視圖;
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





