[發明專利]一種提高發光器件芯片散熱效率的方法

在審

• 申請號: 201410050418.3
• 申請日: 2014-02-13
• 公開（公告）號: CN103794712A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 廉鵬;李有群
• 申請（專利權）人: 馬鞍山太時芯光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/00
• 代理公司: 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411
• 代理人: 鄭自群

技術領域

本發明涉及LED領域，特別是指一種提高發光器件芯片散熱效率的方法。

背景技術

現有發光器件芯片的制備過程中，將生長襯底一次性使用，或者將其直接作為芯片的襯底形成產品，或者將其磨薄后隨芯片形成產品。生長襯底大都作為芯片產品的一部分。

目前常規使用的紅黃光芯片生長襯底是GaAs，使用這種生長襯底的芯片產品則會含砷。在使用這種生長襯底的芯片的制備過程中，如果應用了生長襯底減薄工藝，則工業廢水中將含有GaAs顆粒，增加了工業廢水的污染，同時提高了企業排污和廢水處理的成本。由于GaAs導熱能力差，將影響形成的芯片的散熱效率。

發明內容

本發明提出一種提高發光器件芯片散熱效率的方法，解決了現有技術中現有技術中生長襯底對發光器件芯片散熱效率的影響的問題。

本發明的技術方案是這樣實現的：一種提高發光器件芯片散熱效率的方法，包括如下步驟：

a）生長襯底依次外延生長形成預置轉換層、外延層N區、有源區和外延層P區；

b）經步驟a）所得外延片進行蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕制作P電極；

c）經步驟b）所得外延片利用腐蝕液腐蝕所述預置轉換層；

d）經步驟c）所得所述生長襯底經過表面處理步驟之后，進行再利用；

e）經步驟c）所得所述外延層N區經過表面處理步驟之后，進行蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕制作N電極；

f）將步驟e）所得外延片通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍制備介質層和銀鏡，通過電鍍方式制備銅襯底。

優選地，所述退火在450℃～500℃的溫度范圍內進行；所述退火的時間范圍為5min～20min。

優選地，所述刻蝕具體為干法刻蝕或者濕法刻蝕，使用選擇性的和/或各向異性的刻蝕法來執行；所述表面處理步驟至多包括拋光步驟、檢測步驟以及位于所述拋光步驟之前和/或之后的清洗步驟，所述拋光步驟具體為化學拋光或機械拋光；所述清洗步驟具體為腐蝕液清洗或者水清洗；所述檢測步驟具體為光滑度檢測和表面清潔度檢測。

優選地，所述介質層、所述銀鏡和所述銅襯底構成反射襯底；所述預置轉換層能夠將所述生長襯底轉換為所述反射襯底。

優選地，所述介質層包括SiO₂、ITO或Si₃N₄，所述銅襯底厚度范圍為70μm～150μm。

優選地，所述預置轉換層能夠被腐蝕液選擇性消除；所述腐蝕液具體為HF或BOE。

優選地，所述生長襯底包括GaAs。

優選地，所述預置轉換層包括AlAs。

本發明的有益效果為：

1）反射襯底具有良好的散熱性能；

2）生長襯底可以重復利用，節省成本；

3）生長襯底的As不會帶入發光器件制備的后續工藝流程，降低工業廢水的污染治理成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明步驟a）所得結構示意圖；

圖2為本發明一種提高發光器件芯片散熱效率的方法一個實施例的流程示意圖；

圖3為本發明步驟c）所得結構示意圖；

圖4為本發明步驟f）所得結構示意圖；

圖中：

1、生長襯底；2、預置轉換層；3、外延層N區；4、有源區；5、外延層P區；6、P電極；7、N電極；8、介質層；9、銀鏡；10、銅襯底。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

實施例1

如圖1～4所示，本發明一種提高發光器件芯片散熱效率的方法，包括如下步驟：

a）生長襯底1依次外延生長預置轉換層2、外延層N區3、有源區4和外延層P區5；

b）經步驟a）所得外延片進行蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕制作P電極6；

c）經步驟b）所得外延片利用腐蝕液腐蝕預置轉換層2；