[發(fā)明專利]一種提高發(fā)光器件芯片散熱效率的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410050418.3
• 申請日: 2014-02-13
• 公開（公告）號: CN103794712A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廉鵬;李有群
• 申請（專利權(quán)）人: 馬鞍山太時芯光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/00
• 代理公司: 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11411
• 代理人: 鄭自群

1.一種提高發(fā)光器件芯片散熱效率的方法，其特征在于，包括如下步驟：

a）生長襯底依次外延生長形成預(yù)置轉(zhuǎn)換層、外延層N區(qū)、有源區(qū)和外延層P區(qū)；

b）經(jīng)步驟a）所得外延片進(jìn)行蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕制作P電極；

c）經(jīng)步驟b）所得外延片利用腐蝕液腐蝕所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層；

d）經(jīng)步驟c）所得所述生長襯底經(jīng)過表面處理步驟之后，進(jìn)行再利用；

e）經(jīng)步驟c）所得所述外延層N區(qū)經(jīng)過表面處理步驟之后，進(jìn)行蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕制作N電極；

f）將步驟e）所得外延片通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍制備介質(zhì)層和銀鏡，通過電鍍方式制備銅襯底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高發(fā)光器件芯片散熱效率的方法，其特征在于，所述退火在450℃～500℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行；所述退火的時間范圍為5min～20min。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種提高發(fā)光器件芯片散熱效率的方法，其特征在于，所述刻蝕具體為干法刻蝕或者濕法刻蝕，使用選擇性的和/或各向異性的刻蝕法來執(zhí)行；所述表面處理步驟至多包括拋光步驟、檢測步驟以及位于所述拋光步驟之前和/或之后的清洗步驟，所述拋光步驟具體為化學(xué)拋光或機(jī)械拋光；所述清洗步驟具體為腐蝕液清洗或者水清洗；所述檢測步驟具體為光滑度檢測和表面清潔度檢測。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種提高發(fā)光器件芯片散熱效率的方法，其特征在于，所述介質(zhì)層、所述銀鏡和所述銅襯底構(gòu)成反射襯底；所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠?qū)⑺錾L襯底轉(zhuǎn)換為所述反射襯底。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種提高發(fā)光器件芯片散熱效率的方法，其特征在于，所述介質(zhì)層包括SiO₂、ITO或Si₃N₄，所述銅襯底厚度范圍為70μm～150μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光器件芯片，其特征在于，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠被腐蝕液選擇性消除；所述腐蝕液具體為HF或BOE。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～7任一項(xiàng)所述的一種提高發(fā)光器件芯片散熱效率的方法，其特征在于，所述生長襯底包括GaAs。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7任一項(xiàng)所述的一種提高發(fā)光器件芯片散熱效率的方法，其特征在于，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層包括AlAs。