[發(fā)明專利]一種柔性顯示基板及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410048621.7 | 申請日: | 2014-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN103779390A | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 謝明哲;謝春燕;劉陸 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 柔性 顯示 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種柔性顯示基板及其制備方法。
背景技術(shù)
柔性顯示技術(shù)在近幾年有了飛速的發(fā)展,由此帶動柔性顯示器從屏幕的尺寸到顯示的質(zhì)量都取得了很大進步。無論是瀕臨消失的陰極射線管(Cathode?Ray?Tube,簡稱CRT),還是現(xiàn)今主流的液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display,簡稱LCD),本質(zhì)上都屬于傳統(tǒng)的剛性顯示器。與傳統(tǒng)的剛性顯示器相比,柔性顯示器具有諸多優(yōu)點,例如耐沖擊,抗震能力強,重量輕,體積小,攜帶更加方便等。
其中,柔性顯示器的制作方法一般包括:在承載基板上形成柔性基底,然后在柔性基底上再形成構(gòu)成顯示結(jié)構(gòu)的各膜層等。其中,柔性基底一般的制作方法可分為兩種,一種在承載基板(例如玻璃基板)上貼膜,另一種為在承載基板上涂膜。
然而,由于柔性基底的表面粗糙度往往大于玻璃襯底基板的表面粗糙度,因此在彎折的情況下,很容易因為柔性基底表面的凹凸不平和應(yīng)力作用而導致設(shè)置在所述柔性基底上的膜層的破裂或脫落。
另外,在柔性顯示器的制作過程中,在高溫時,柔性基底以及各膜層發(fā)生膨脹,從高溫降到常溫時,柔性基底以及各膜層發(fā)生收縮,在這個過程中,由于柔性基底與各膜層的膨脹系數(shù)不同,而通常柔性基底會產(chǎn)生較大的形變,這里,較大的形變可以理解為較大的應(yīng)力所導致,這樣,在柔性基底與承載基板分離時,常常會發(fā)生翹曲現(xiàn)象。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種柔性顯示基板及其制備方法,可以避免設(shè)置在柔性基底上的膜層的破裂或脫落,并進一步緩解承載基板與位于承載基板上方的柔性基底分離時發(fā)生翹曲的程度。
為達到上述目的,本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:
一方面,提供一種柔性顯示基板,包括:
分別設(shè)置在所述柔性基底上表面和下表面的第一緩沖層和第二緩沖層;
至少設(shè)置在所述第一緩沖層上方的薄膜晶體管和電極結(jié)構(gòu);
其中,至少由所述薄膜晶體管和所述電極結(jié)構(gòu)構(gòu)成顯示結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選的,所述第一緩沖層和所述第二緩沖層材料相同且厚度相同。
進一步可選的,所述第一緩沖層和所述第二緩沖層均為單層膜層結(jié)構(gòu)或多層膜層結(jié)構(gòu);
在所述第一緩沖層和所述第二緩沖層均為多層膜層結(jié)構(gòu)的情況下,所述第一緩沖層和所述第二緩沖層中所有膜層相對所述柔性基底對稱設(shè)置。
優(yōu)選的,所述第一緩沖層和所述第二緩沖層的厚度在1000~5000之間。
基于上述描述,可選的,在所述第二緩沖層遠離所述柔性基底的一側(cè)還設(shè)置有與構(gòu)成所述薄膜晶體管的各圖案層相同材料且相同厚度的膜層。
進一步優(yōu)選的,相對所述柔性基底,設(shè)置在所述第二緩沖層遠離所述柔性基底一側(cè)的各膜層的順序與相同材料的構(gòu)成所述薄膜晶體管的各圖案層的順序相同。
可選的,在所述第二緩沖層遠離所述柔性基底的一側(cè)還設(shè)置有所述薄膜晶體管,且位于所述第一緩沖層上方的所述薄膜晶體管和位于所述第二緩沖層下方的所述薄膜晶體管一一對應(yīng)。
可選的,所述電極結(jié)構(gòu)包括陰極和陽極;其中,所述陽極和所述薄膜晶體管的漏極電連接;
所述顯示結(jié)構(gòu)還包括封裝層以及設(shè)置在所述陰極和所述陽極之間的有機材料功能層。
可選的,所述電極結(jié)構(gòu)包括像素電極;其中,所述像素電極和所述薄膜晶體管的漏極電連接。
另一方面,提供一種柔性顯示基板的制備方法,包括:
在承載基板上形成包括第一緩沖層、第二緩沖層、柔性基底的結(jié)構(gòu);其中,所述第一緩沖層位于所述柔性基底的上方,所述第二緩沖層位于所述柔性基底的下方;
至少在所述第一緩沖層的上方形成薄膜晶體管和電極結(jié)構(gòu);其中,至少由所述薄膜晶體管和所述電極結(jié)構(gòu)構(gòu)成顯示結(jié)構(gòu);
完成所述顯示結(jié)構(gòu)后,將所述承載基板和與所述承載基板接觸的膜層分離,形成所述柔性顯示基板。
可選的,所述第一緩沖層和所述第二緩沖層均為單層膜層結(jié)構(gòu)或多層膜層結(jié)構(gòu);
在所述第一緩沖層和所述第二緩沖層均為多層膜層結(jié)構(gòu)的情況下,所述第一緩沖層和所述第二緩沖層中所有膜層相對所述柔性基底對稱形成。
進一步可選的,所述第一緩沖層和所述第二緩沖層采用相同的工藝條件制備形成。
基于上述描述,可選的,所述方法還包括:在所述第二緩沖層與所述承載基板之間形成與構(gòu)成所述薄膜晶體管的各圖案層相同材料且相同厚度的膜層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





