[發(fā)明專利]一種柔性顯示基板及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410048621.7 | 申請(qǐng)日： | 2014-02-11 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103779390A | 公開（公告）日： | 2014-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 謝明哲;謝春燕;劉陸 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/32 | 分類號(hào)： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 柔性 顯示 及其 制備 方法 | ||
1.一種柔性顯示基板，其特征在于，包括：
分別設(shè)置在所述柔性基底上表面和下表面的第一緩沖層和第二緩沖層；
至少設(shè)置在所述第一緩沖層上方的薄膜晶體管和電極結(jié)構(gòu)；
其中，至少由所述薄膜晶體管和所述電極結(jié)構(gòu)構(gòu)成顯示結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述第一緩沖層和所述第二緩沖層材料相同且厚度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述第一緩沖層和所述第二緩沖層均為單層膜層結(jié)構(gòu)或多層膜層結(jié)構(gòu)；
在所述第一緩沖層和所述第二緩沖層均為多層膜層結(jié)構(gòu)的情況下，所述第一緩沖層和所述第二緩沖層中所有膜層相對(duì)所述柔性基底對(duì)稱設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述第一緩沖層和所述第二緩沖層的厚度在1000～5000之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的柔性顯示基板，其特征在于，
在所述第二緩沖層遠(yuǎn)離所述柔性基底的一側(cè)還設(shè)置有與構(gòu)成所述薄膜晶體管的各圖案層相同材料且相同厚度的膜層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的柔性顯示基板，其特征在于，相對(duì)所述柔性基底，設(shè)置在所述第二緩沖層遠(yuǎn)離所述柔性基底一側(cè)的各膜層的順序與相同材料的構(gòu)成所述薄膜晶體管的各圖案層的順序相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的柔性顯示基板，其特征在于，
在所述第二緩沖層遠(yuǎn)離所述柔性基底的一側(cè)還設(shè)置有所述薄膜晶體管，且位于所述第一緩沖層上方的所述薄膜晶體管和位于所述第二緩沖層下方的所述薄膜晶體管一一對(duì)應(yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述電極結(jié)構(gòu)包括陰極和陽(yáng)極；其中，所述陽(yáng)極和所述薄膜晶體管的漏極電連接；
所述顯示結(jié)構(gòu)還包括封裝層以及設(shè)置在所述陰極和所述陽(yáng)極之間的有機(jī)材料功能層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述電極結(jié)構(gòu)包括像素電極；其中，所述像素電極和所述薄膜晶體管的漏極電連接。
10.一種柔性顯示基板的制備方法，其特征在于，包括：
在承載基板上形成包括第一緩沖層、第二緩沖層、柔性基底的結(jié)構(gòu)；其中，所述第一緩沖層位于所述柔性基底的上方，所述第二緩沖層位于所述柔性基底的下方；
至少在所述第一緩沖層的上方形成薄膜晶體管和電極結(jié)構(gòu)；其中，至少由所述薄膜晶體管和所述電極結(jié)構(gòu)構(gòu)成顯示結(jié)構(gòu)；
完成所述顯示結(jié)構(gòu)后，將所述承載基板和與所述承載基板接觸的膜層分離，形成所述柔性顯示基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一緩沖層和所述第二緩沖層均為單層膜層結(jié)構(gòu)或多層膜層結(jié)構(gòu)；
在所述第一緩沖層和所述第二緩沖層均為多層膜層結(jié)構(gòu)的情況下，所述第一緩沖層和所述第二緩沖層中所有膜層相對(duì)所述柔性基底對(duì)稱形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一緩沖層和所述第二緩沖層采用相同的工藝條件制備形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求10至12任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，
所述方法還包括：在所述第二緩沖層與所述承載基板之間形成與構(gòu)成所述薄膜晶體管的各圖案層相同材料且相同厚度的膜層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，相對(duì)所述柔性基底，形成于所述第二緩沖層與所述承載基板之間的各膜層的順序與相同材料的構(gòu)成所述薄膜晶體管的各圖案層的順序相同。
15.根據(jù)權(quán)利要求10至12任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，
所述方法還包括：在所述第二緩沖層與所述承載基板之間形成所述薄膜晶體管，且形成于所述第一緩沖層上方的所述薄膜晶體管和形成于所述第二緩沖層下方的所述薄膜晶體管一一對(duì)應(yīng)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
