[發明專利]樹脂密封型半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201410048433.4
• 申請日: 2014-02-12
• 公開（公告）號: CN103985690B
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: 木村紀幸
• 申請（專利權）人: 艾普凌科有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;王忠忠

1.一種樹脂密封型半導體裝置，其特征在于包括：

芯片焊盤部；

所述芯片焊盤部上搭載的半導體元件；

在所述芯片焊盤部的至少兩邊中對置配置的多個引線部；

連接所述半導體元件的表面中所設的多個電極與所述多個引線部的金屬細線；以及

以使所述多個引線部部分地露出的方式密封所述芯片焊盤部、所述半導體元件以及所述多個引線部的密封樹脂，

所述多個引線部具備從所述密封樹脂露出的作為底面的引線底面部、作為前端的引線外側面部和作為上表面的一部分的引線上側端部，

所述引線底面部與所述密封樹脂的底面在同一面內，

所述引線底面部以及所述引線上側端部具有鍍層，

在所述引線上側端部的鉛垂上方，所述密封樹脂隔著設在所述密封樹脂的側面的未形成所述密封樹脂的切口部而存在，

該切口部是對形成在所述多個引線部的上表面的可溶性膜進行溶解除去而形成的。

2.根據權利要求1所述的樹脂密封型半導體裝置，其特征在于：

所述切口部的截面為“コ”字型。

3.根據權利要求1所述的樹脂密封型半導體裝置，其特征在于：

所述芯片焊盤部的底面部從所述密封樹脂露出。

4.根據權利要求1所述的樹脂密封型半導體裝置，其特征在于：

所述引線外側面部比所述密封樹脂的側面更加向外側突出。

5.根據權利要求1所述的樹脂密封型半導體裝置，其特征在于：

所述引線外側面部與所述密封樹脂的側面為同一面。

6.根據權利要求1所述的樹脂密封型半導體裝置，其特征在于：

所述引線底面部的鍍層以及所述引線上側端部的鍍層為由從鉛、鉍、錫、銅、銀、鈀以及金中選擇的一種金屬構成的金屬層或者由兩種以上的金屬的合金構成的合金層。

7.根據權利要求1所述的樹脂密封型半導體裝置，其特征在于：

所述多個引線部分別由內部引線部和外部引線部構成，所述內部引線部以比所述外部引線部高的方式進行折彎。

8.一種樹脂密封型半導體裝置的制造方法，其特征在于包括：

將芯片焊盤部以及在所述芯片焊盤部對置配置的多個引線部作為一個單元，準備具有多個該單元的框架或者電鑄基板的工序；

在所述框架或者電鑄基板的第一面貼上密封片的工序；

在所述多個引線部的與所述第一面相反側的第二面形成可溶性膜的工序；

在所述框架或者電鑄基板的所述芯片焊盤部各自搭載半導體元件，通過金屬細線將所述多個引線部與所述半導體元件表面的電極連接的工序；

以使所述多個引線部的引線底面部露出的方式通過密封樹脂來樹脂密封所述芯片焊盤部、所述半導體元件和所述多個引線部的工序；

溶解去除所述可溶性膜，在所述密封樹脂中形成空洞部的工序；

將所述框架或者電鑄基板浸入鍍液以在所述引線底面部和引線上側端部形成鍍層的工序；

從所述第一面一側對所述多個引線部施行第一切斷，形成到達所述空洞部的第一槽的工序；以及

從與所述第一面相反側的第二面一側對所述密封樹脂施行第二切斷，從所述框架或者電鑄基板分離樹脂密封型半導體裝置的工序。

9.根據權利要求8所述的樹脂密封型半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述第一切斷是沖孔切斷，所述第二切斷是旋轉刀切斷。

10.根據權利要求8所述的樹脂密封型半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述第一切斷是沖孔切斷，所述第二切斷也是沖孔切斷。

11.根據權利要求8所述的樹脂密封型半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述第一切斷是旋轉刀切斷，所述第二切斷是旋轉刀切斷。