[發(fā)明專利]多層電子元件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410048012.1
• 申請日: 2014-02-11
• 公開（公告）號: CN104637649A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸成珍;曹廷昊;河永真
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會社
• 主分類號: H01F17/00
• 分類號: H01F17/00;H01F27/28;H01F41/04
• 代理公司: 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283
• 代理人: 黃志興;李雪

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2013年11月7日提交韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請No.10-2013-0135018的優(yōu)先權(quán)，其公開的內(nèi)容在此作為參考引入到本申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種多層電子元件及其制造方法，更具體地，涉及一種設(shè)置在信息技術(shù)（IT）裝置等中以消除噪音的多層電子元件及其制造方法。

背景技術(shù)

電子元件中的磁珠（bead）、具有電阻特性和電感特性的元件在高頻段中具有高阻特性以從高頻元件中吸收能量并將吸收的能量轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃俊Ｒ话愕?，由于噪音元件具有比信號頻率更高的頻率，磁珠僅在穿過低頻信號元件的同時(shí)消除噪音元件。

對于多層片式磁珠，內(nèi)部導(dǎo)體利用導(dǎo)電膠等形成在主要由磁性材料形成的磁片上，并且堆疊以在磁性燒結(jié)體中形成線圈，由此實(shí)現(xiàn)電阻抗。

近來，由于電子設(shè)備的頻率擴(kuò)大并變得相對較寬，需要對高頻段中相對較寬的頻段進(jìn)行噪音消除以處理電磁干涉（EMI）的問題。

因此，為了消除高頻段中的噪音，設(shè)計(jì)了線圈結(jié)構(gòu)以減少寄生電容和將共振頻率提高幾百M(fèi)Hz至1GHz。然而，在這種情況下，消除長期演進(jìn)（LTE）頻段中700MHz到2.7GHz范圍內(nèi)的頻率噪音具有局限性。

此外，當(dāng)增加高頻段中的電阻元件以消除高頻段中的噪音時(shí)，低頻段中的直流（DC）電阻增加并且全部頻段中的電阻增加。因此，需要一種片式組件，該片式組件在高頻段中能夠具有高阻抗并且允許在消除寬頻段的高頻中的噪音的同時(shí)保持低頻段中的低阻抗。

下述相關(guān)技術(shù)文件公開了一種具有用于減少直流電阻的結(jié)構(gòu)的多層磁珠。

[相關(guān)技術(shù)文件]

韓國專利公開號：2013-0044603

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明公開的一個(gè)方面可以提供一種多層電子元件及其制造方法，該多層電子元件允許通過在高頻中獲得高阻抗而將噪音從寬頻頻段中有效地消除。

根據(jù)本發(fā)明公開的一個(gè)方面，多層電子元件可以包括：磁體，該磁體包括通過堆疊多個(gè)第一磁性層形成的第一堆疊體和通過堆疊多個(gè)第二磁性層形成的第二堆疊體；以及內(nèi)部線圈，該內(nèi)部線圈形成在所述磁體中，其中，所述第二磁性層具有比所述第一磁性層更高的磁導(dǎo)率。

所述磁體還可以包括第三堆疊體，該第三堆疊體通過多個(gè)第三磁性層堆疊形成，其中，所述第三磁性層具有比所述第二磁性層更大的磁導(dǎo)率。

所述內(nèi)部線圈可以通過形成在所述第一磁性層和所述第二磁性層上的多個(gè)內(nèi)部導(dǎo)體圖案彼此電連接而形成。

所述內(nèi)部線圈可以通過形成在所述第一磁性層至所述第三磁性層上的多個(gè)內(nèi)部導(dǎo)體圖案彼此電連接而形成。

所述內(nèi)部線圈可以在相對于所述磁體的基板安裝表面相垂直的方向上形成。

所述內(nèi)部線圈的中心軸線可形成為平行于所述第一堆疊體和所述第二堆疊體堆疊的方向。

所述第一堆疊層可具有10H/m到30H/m的磁導(dǎo)率。

所述第二堆疊層可具有80H/m到120H/m的磁導(dǎo)率。

所述第三堆疊層可具有180H/m到220H/m的磁導(dǎo)率。

根據(jù)本發(fā)明公開的另一個(gè)方面，多層電子元件可包括：磁體，該磁體通過堆疊多個(gè)磁性層形成；以及內(nèi)部線圈，該內(nèi)部線圈形成在所述磁體中，其中，所述磁體包括具有不同磁導(dǎo)率等級的至少兩個(gè)堆疊體。

所述內(nèi)部線圈可通過形成在各自具有不同磁導(dǎo)率等級的磁性層上的多個(gè)內(nèi)部導(dǎo)體圖案彼此電連接而形成。

所述內(nèi)部線圈可在相對于所述磁體的基板安裝表面相垂直的方向上形成。

所述內(nèi)部線圈的中心軸線可形成為平行于具有不同磁導(dǎo)率等級的所述堆疊體堆疊的方向。

根據(jù)本發(fā)明公開的另一個(gè)方面，多層電子元件的制造方法可包括：制備多個(gè)第一磁片和多個(gè)第二磁片，該第二磁片具有比所述第一磁片更大的磁導(dǎo)率；在所述第一磁片和所述第二磁片上形成內(nèi)部導(dǎo)體圖案；以及堆疊形成有所述內(nèi)部導(dǎo)體圖案的所述第一磁片和所述第二磁片，以形成包括第一堆疊體和第二堆疊體的磁體。

所述方法還可包括：堆疊具有比所述第二磁片更大的磁導(dǎo)率的第三磁片，以形成包括第三堆疊體的磁體。

所述方法還可包括：在所述第一磁片和所述第二磁片中形成通道電極（via?electrode），以使形成在所述第一磁片和所述第二磁片上的所述內(nèi)部導(dǎo)體圖案彼此電連接。

所述第一磁片和所述第二磁片可堆疊以便于所述第一磁片的堆疊表面和所述第二磁片的堆疊表面相對于所述磁體的基板安裝表面垂直。

附圖說明