[發(fā)明專利]多層電子元件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410048012.1
• 申請日: 2014-02-11
• 公開（公告）號: CN104637649A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發(fā)明（設計）人: 樸成珍;曹廷昊;河永真
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01F17/00
• 分類號: H01F17/00;H01F27/28;H01F41/04
• 代理公司: 北京潤平知識產(chǎn)權代理有限公司 11283
• 代理人: 黃志興;李雪

1.一種多層電子元件，該多層電子元件包括：

磁體，該磁體包括通過堆疊多個第一磁性層形成的第一堆疊體和通過堆疊多個第二磁性層形成的第二堆疊體；以及

內(nèi)部線圈，該內(nèi)部線圈形成在所述磁體中，

其中，所述第二磁性層具有比所述第一磁性層更高的磁導率。

2.根據(jù)權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述磁體還包括第三堆疊體，該第三堆疊體通過堆疊多個第三磁性層形成，所述第三磁性層具有比所述第二磁性層更大的磁導率。

3.根據(jù)權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述內(nèi)部線圈通過形成在所述第一磁性層和所述第二磁性層上的多個內(nèi)部導體圖案彼此電連接而形成。

4.根據(jù)權利要求2所述的多層電子元件，其中，所述內(nèi)部線圈通過形成在所述第一磁性層至所述第三磁性層上的多個內(nèi)部導體圖案彼此電連接而形成。

5.根據(jù)權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述內(nèi)部線圈在相對于所述磁體的基板安裝表面相垂直的方向上形成。

6.根據(jù)權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述內(nèi)部線圈的中心軸線形成為平行于所述第一堆疊體和所述第二堆疊體堆疊的方向。

7.根據(jù)權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述第一堆疊層具有10H/m到30H/m的磁導率。

8.根據(jù)權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述第二堆疊層具有80H/m到120H/m的磁導率。

9.根據(jù)權利要求2所述的多層電子元件，其中，所述第三堆疊層具有180H/m到220H/m的磁導率。

10.一種多層電子元件，該多層電子元件包括：

磁體，該磁體通過堆疊多個磁性層形成；以及

內(nèi)部線圈，該內(nèi)部線圈形成在所述磁體中，

其中，所述磁體包括具有不同磁導率等級的至少兩個堆疊體。

11.根據(jù)權利要求10所述的多層電子元件，其中，所述內(nèi)部線圈通過形成在各自彼此具有不同磁導率等級的多個磁性層上的內(nèi)部導體圖案彼此電連接而形成。

12.根據(jù)權利要求10所述的多層電子元件，其中，所述內(nèi)部線圈在相對于所述磁體的基板安裝表面相垂直的方向上形成。

13.根據(jù)權利要求10所述的多層電子元件，其中，所述內(nèi)部線圈的中心軸線形成為平行于具有不同磁導率等級的所述堆疊體堆疊的方向。

14.一種多層電子元件的制造方法，包括：

制備多個第一磁片和具有比所述第一磁片更大的磁導率的多個第二磁片；

在所述第一磁片和所述第二磁片上形成內(nèi)部導體圖案；以及

堆疊形成有所述內(nèi)部導體圖案的所述第一磁片和所述第二磁片，以形成包括第一堆疊體和第二堆疊體的磁體。

15.根據(jù)權利要求14所述的制造方法，其中，所述制造方法還包括：堆疊具有比所述第二磁片更大的磁導率的第三磁片，以形成包括第三堆疊體的磁體。

16.根據(jù)權利要求14所述的制造方法，其中，所述制造方法還包括：在所述第一磁片和所述第二磁片中形成通道電極，以使形成在所述第一磁片和所述第二磁片上的所述內(nèi)部導體圖案彼此電連接。

17.根據(jù)權利要求14所述的制造方法，其中，所述第一磁片和所述第二磁片堆疊以便于所述第一磁片的堆疊表面和所述第二磁片的堆疊表面相對于所述磁體的基板安裝表面垂直。