[發明專利]體偏置開關裝置

有效

• 申請號: 201410047251.5
• 申請日: 2014-02-11
• 公開（公告）號: CN103986449B
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 威廉·J·克勞森;小詹姆斯·P·富里諾;邁克爾·D·約爾
• 申請（專利權）人: Qorvo美國公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 陳煒;李德山

1.一種用于切換射頻信號的電路，所述電路包括：

場效應晶體管，其包含源極端子、柵極端子、漏極端子以及本體端子；以及

體偏置電路，其與所述源極端子、所述漏極端子以及所述本體端子耦接，所述體偏置電路具有在所述源極端子和所述本體端子之間耦接的第一電路元件以及在所述漏極端子和所述本體端子之間耦接的第二電路元件，所述第一電路元件和所述第二電路元件被配置成：

基于來自被施加到所述場效應晶體管的射頻信號的能量通過所述第一電路元件和所述第二電路元件獲得負偏置電壓；以及

當所述場效應晶體管處于截止狀態時，將所述負偏置電壓提供給所述本體端子。

2.根據權利要求1所述的電路，還包括：

包含所述場效應晶體管的彼此串聯耦接的多個場效應晶體管。

3.根據權利要求1所述的電路，其中，所述場效應晶體管是n型場效應晶體管。

4.根據權利要求1所述的電路，其中，所述體偏置電路僅與所述源極端子、所述漏極端子以及所述本體端子耦接。

5.根據權利要求1所述的電路，其中，所述電路包括絕緣體上硅SOI結構的電路。

6.根據權利要求1所述的電路，其中，所述場效應晶體管是第一場效應晶體管，并且所述體偏置電路包括：

與所述本體端子耦接的節點，

其中，所述第一電路元件包括第二場效應晶體管，所述第二場效應晶體管具有：

與所述第一場效應晶體管的源極端子耦接的源極端子；和

與所述節點耦接的漏極端子；以及

所述第二電路元件包括第三場效應晶體管，所述第三場效應晶體管具有：

與所述節點耦接的漏極端子；和

與所述第一場效應晶體管的漏極端子耦接的源極端子。

7.根據權利要求6所述的電路，其中：

所述第二場效應晶體管還包括與所述第一場效應晶體管的漏極端子耦接的柵極端子；以及

所述第三場效應晶體管還包括與所述第一場效應晶體管的源極端子耦接的柵極端子。

8.根據權利要求6所述的電路，其中，所述第一場效應晶體管和所述第二場效應晶體管是二極管連接的場效應晶體管，并且：

所述第二場效應晶體管還包括與所述節點耦接的柵極端子；以及

所述第三場效應晶體管還包括與所述節點耦接的柵極端子。

9.根據權利要求1所述的電路，其中，所述體偏置電路包括：

與所述本體端子耦接的節點，

其中，所述第一電路元件包括與所述源極端子和所述節點耦接的第一二極管；以及

所述第二電路元件包括與所述漏極端子和所述節點耦接的第二二極管。

10.根據權利要求9所述的電路，其中：

所述第一二極管包括與所述源極端子耦接的陰極端子和與所述節點耦接的陽極端子；以及

所述第二二極管包括與所述漏極端子耦接的陰極端子和與所述節點耦接的陽極端子。

11.根據權利要求1所述的電路，其中，所述體偏置電路被配置成：通過將所述體偏置電路配置為對所述射頻信號進行整流，來使得所述體偏置電路獲得所述負偏置電壓。