[發明專利]體偏置開關裝置

有效

• 申請號: 201410047251.5
• 申請日: 2014-02-11
• 公開（公告）號: CN103986449B
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 威廉·J·克勞森;小詹姆斯·P·富里諾;邁克爾·D·約爾
• 申請（專利權）人: Qorvo美國公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 陳煒;李德山

本發明提供了一種用于切換射頻RF信號的電路、無線通信裝置以及方法。實施方式提供了一種包含一個或更多個場效應晶體管（FET）的開關裝置。在實施方式中，體偏置電路可以基于施加到開關場效應晶體管的射頻信號來獲得偏置電壓并且可以將該偏置電壓施加到開關場效應晶體管的本體端子。

技術領域

本公開內容的實施方式通常涉及電路領域，并且更具體地涉及利用場效應晶體管（“FET”）的體偏置開關裝置。

背景技術

對于絕緣體上硅（SOI）結構的開關裝置，在截止模式運行期間，使用負體偏置連接來減輕浮置效應。本設計需要使用充電泵來將負電壓直接供應給本體。慣于采用這種設計的電路元件可能與襯底噪聲耦合、解碼器電路的數量增加的控制線、進入到射頻（RF）開關磁芯的寄生信號（因可用路由路徑的限制而導致）以及較大的芯片尺寸相關聯。

發明內容

本發明提供了一種用于切換射頻RF信號的電路，該電路包括：

場效應晶體管FET，其包含源極端子、柵極端子、漏極端子以及本體端子；以及

體偏置電路，其與所述源極端子、所述漏極端子以及所述本體端子耦接，所述體偏置電路被配置為：

基于施加到所述場效應晶體管的射頻信號獲得負偏置電壓；以及

當所述場效應晶體管處于截止狀態時，將所述負偏置電壓提供給所述本體端子。

本發明還提供了一種無線通信裝置，該無線通信裝置包括：

收發器；

天線；以及

射頻RF前端，其與所述收發器和所述天線耦接并且被配置為在所述收發器與所述天線之間傳送信號，所述射頻前端包括絕緣體上硅結構的開關裝置，所述開關裝置具有：

解碼器，其被配置為對多個開關場效應晶體管FET進行設置以使其處于截止狀態或導通狀態；以及

具有體偏置電路和所述多個場效應晶體管中的一個場效應晶體管FET的單元，其中，當所述這個場效應晶體管處于截止狀態時，所述體偏置電路被配置為向所述該場效應晶體管的本體提供負電壓，所述負電壓來源于施加到所述該場效應晶體管的射頻信號。

本發明還提供了一種方法，所述方法包括以下步驟：

利用解碼器電路對開關場效應晶體管FET進行控制以使其處于截止狀態；

當所述開關場效應晶體管處于截止狀態時，利用體偏置電路基于施加到所述開關場效應晶體管的射頻RF信號獲得負偏置電壓；以及

當所述開關場效應晶體管處于截止狀態時，通過所述體偏置電路將所述負偏置電壓提供給所述開關場效應晶體管的本體。

本發明還提供了一種用于切換射頻RF信號的電路，所述電路包括：

場效應晶體管FET，其包含源極端子、柵極端子、漏極端子以及本體端子；以及

體偏置電路，所述體偏置電路具有：

與所述本體端子耦接的節點；

與所述漏極端子和所述節點耦接的第一電阻器；以及

與所述源極端子和所述節點耦接的第二電阻器，

其中，所述體偏置電路被配置為：

基于施加到所述場效應晶體管的射頻信號獲得偏置電壓；以及將所述偏置電壓提供給所述本體端子。

附圖說明

在附圖的各圖中，通過示例的方式而非限制的方式示出了各實施方式，在附圖中，相同的附圖標記表示相似的元件。