[發明專利]離子注入機臺基準起始注入角度的校準方法有效
| 申請號： | 201410047153.1 | 申請日： | 2014-02-11 |
| 公開（公告）號： | CN104835769B | 公開（公告）日： | 2018-07-20 |
| 發明（設計）人： | 張進創;陳立峰;逄錦濤;韋偉 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/68 | 分類號： | H01L21/68;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離子 注入 機臺 基準 起始 角度 校準 方法 | ||
1.一種離子注入機臺基準起始注入角度的校準方法，包括：
在離子注入機臺中，以45度的初始注入角度對第一待注入晶圓進行離子注入，以獲取第一晶格損傷度和與其對應的45度的初始注入角度的數據；
在所述離子注入機臺中，從所述45度的初始注入角度開始設置至少兩個不同注入角度，以采用所述至少兩個不同注入角度對至少兩個待注入晶圓分別進行離子注入，以獲取至少兩份晶格損傷度和與其對應的注入角度的數據；
將獲取的所有的晶格損傷度和與其對應的注入角度的數據標示坐標系中，并對坐標系中標示出的點進行擬合，以獲得晶格損傷度和注入角度的關系曲線；
將所述關系曲線的頂點所對應的角度，作為所述離子注入機臺校準后的基準起始注入角度。
2.根據權利要求1所述的離子注入機臺基準起始注入角度的校準方法，其特征在于：所述至少兩個不同注入角度對稱地位于所述45度的初始注入角度的兩側。
3.根據權利要求2所述的離子注入機臺基準起始注入角度的校準方法，其特征在于：相鄰的注入角度之間相差0.1～1度。
4.根據權利要求1所述的離子注入機臺基準起始注入角度的校準方法，其特征在于：
從所述45度的初始注入角度開始設置的不同注入角度為4個，分別為44度、44.5度、45.5度和46度。
5.根據權利要求1至4任一項所述的離子注入機臺基準起始注入角度的校準方法，其特征在于：每一次離子注入的雜質、能量和劑量均相同。
6.根據權利要求5所述的離子注入機臺基準起始注入角度的校準方法，其特征在于：
所述離子注入的雜質為硼，所述能量范圍為100～200KeV，所述劑量范圍為5.0×1012～2.0×1013atom/cm2。
7.根據權利要求1至4任一項所述的離子注入機臺基準起始注入角度的校準方法，其特征在于：所述45度的初始注入角度為校準前的基準起始注入角度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
