[發明專利]LDMOS器件

在審

• 申請號: 201410045965.2
• 申請日: 2014-02-08
• 公開（公告）號: CN104835842A
• 公開（公告）日: 2015-08-12
• 發明（設計）人: 方磊
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;付偉佳

1.一種LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括：

半導體襯底;

體區和漂移區，其形成于所述半導體襯底的表面處且彼此間隔開，其中所述體區和所述漂移區分別具有第一導電類型和第二導電類型；

環繞所述體區的深摻雜區，其從所述體區向下延伸，并橫向地向所述漂移區延伸至至少與所述漂移區鄰接，所述深摻雜區具有第一導電類型；

柵極，其位于所述體區和所述漂移區之間的所述半導體襯底上且覆蓋所述體區和所述漂移區的一部分；

源極和漏極，其位于所述柵極的兩側并分別形成于所述體區和所述漂移區內；以及

體區引出區，其形成在所述體區內且與所述源極間隔開。

2.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述深摻雜區的邊緣與所述體區的邊緣在所述橫向上的距離為0.2μm～0.7μm。

3.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型。

4.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，在所述漂移區內且在所述柵極與所述漏極之間形成有第一隔離結構。

5.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，在所述體區內且在所述源極與所述體區引出區之間形成有第二隔離結構。

6.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述深摻雜區的摻雜濃度低于所述體區的摻雜濃度。

7.如權利要求6所述的LDMOS器件，其特征在于，所述體區的離子注入劑量為1×10¹³～3×10¹³cm^-2。

8.如權利要求6所述的LDMOS器件，其特征在于，所述深摻雜區的離子注入劑量為1×10¹²～5×10¹²cm^-2。

9.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述半導體襯底包括硅基底、形成在所述硅基底表面處的掩埋層以及形成在所述掩埋層之上的外延層。

10.如權利要求9所述的LDMOS器件，其特征在于，所述掩埋層中的摻雜劑為銻。