[發明專利]扇出型方片級封裝的制作工藝

有效

• 申請號: 201410045900.8
• 申請日: 2014-02-08
• 公開（公告）號: CN103762183B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 陳峰;耿菲
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙)32104
• 代理人: 殷紅梅

技術領域

本發明涉及微電子封裝方法，尤其是一種扇出型方片級封裝的制作工藝。

背景技術

隨著電子產品多功能化和小型化的潮流，高密度微電子組裝技術在新一代電子產品上逐漸成為主流。為了配合新一代電子產品的發展，尤其是智能手機、掌上電腦、超級本等產品的發展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向發展。扇出型方片級封裝技術(Fanout?Panel?Level?Package,FOPLP)的出現，作為扇出型晶圓級封裝技術(Fanout?Wafer?Level?Package,FOWLP)的升級技術，擁有更廣闊的發展前景。

日本J-Devices公司在US20110309503A1專利中，給出了一種扇出型晶圓級封裝的制作方法，如圖1所示。J-Devices公司的專利主要工藝如下：

第一步：使用粘結劑以一定間隔在基板上形成粘結層；

第二步：在粘結膠上貼放芯片；

第三步：涂覆第一絕緣樹脂，并在樹脂上開出窗口，露出芯片上的焊盤；

第四步：通過圖形電鍍與光刻的方法，制作重布線層（Redistribution?Layer，RDL）,將芯片上的焊盤引出；

第五步：制作第二絕緣層，并做開口露出重布線層的金屬；

第六步：在第二絕緣層上面制作焊球或凸點。

該技術的不足之處在于，工藝的第三步中涂覆第一絕緣樹脂，由于通常芯片厚度在50微米以上，所以涂覆絕緣樹脂的厚度不易控制，不利于精細線路的制作。而且個別樹脂（如PBO、BCB）價格較高，不利于成本控制。

發明內容

本發明的目的在于提供一種扇出型方片級封裝的制作工藝，能夠降低制造成本，以及在工藝過程中降低制造難度和提高涂覆樹脂的表面均勻性。本發明采用的技術方案是，一種扇出型方片級封裝的制作工藝，包括下述步驟：

步驟一，提供承載片，在承載片上貼覆粘結膠；

步驟二，將芯片正貼到粘結膠上；

步驟三，在承載片上貼有芯片的那一面上涂覆第二類絕緣樹脂，第二類絕緣樹脂填充芯片之間的溝槽，第二類絕緣樹脂的高度不高于芯片頂部的高度；

步驟四，在承載片上貼有芯片的那一面上涂覆第一類感光樹脂，第一類感光樹脂將芯片覆蓋住；

步驟五，在第一類感光樹脂中形成通向芯片焊盤的導通孔；

步驟六，在導通孔中和第一類感光樹脂上沉積一層種子層；在種子層上涂覆光刻膠，然后使得光刻膠上顯露出用于制作電鍍線路的圖形，使用電鍍的方法，在顯露出的圖形區域中形成電連接芯片焊盤的電鍍線路；

步驟七，去除光刻膠和光刻膠底部的種子層，保留電鍍線路底部的種子層；在承載片上涂覆一層阻焊油墨，使得阻焊油墨覆蓋電鍍線路；然后在阻焊油墨上顯露出電鍍線路上的金屬焊盤。

步驟八，在金屬焊盤上形成焊球。

進一步地，所述步驟一中，承載片為矩形，材料為玻璃、金屬板或有機基板。

進一步地，所述步驟三中，第二類絕緣樹脂為包含環氧樹脂、亞克力樹脂、酚醛樹脂或三嗪樹脂成分的增層材料、底填料或塑封材料。

進一步地，所述步驟三中，涂覆第二類絕緣樹脂采用的工藝是絲網印刷、狹縫涂覆、噴墨打印、真空壓合、點膠或壓印。

進一步地，所述步驟三中，第二類絕緣樹脂頂部低于芯片頂部0～15微米。

進一步地，所述步驟四中，第一類感光樹脂包括BCB、PBO、PSPI、聚酰亞胺、感光型環氧樹脂或干膜。

進一步地，所述步驟四中，涂覆第一類感光樹脂采用的工藝包括旋涂、噴涂、滾涂、絲網印刷、狹縫涂覆、噴墨打印、滾壓或真空壓合。

進一步地，所述步驟六中，通過濺射金屬或化學沉銅工藝，在導通孔中和第一類感光樹脂上沉積種子層。

進一步地，所述步驟八中，通過植球、印刷、電鍍或化學鍍工藝形成焊球。

本發明的優點：

1).高性能芯片的扇出工藝大部分都使用第一類感光樹脂，該類樹脂包括BCB、PBO、PSPI（光敏聚酰亞胺）、聚酰亞胺等材料。第一類感光樹脂具有分辨率高，適合高頻作業等特點，缺點是成本昂貴。本發明使用主要成分為環氧樹脂、亞克力樹脂、酚醛樹脂、三嗪樹脂等的增層材料、底填料或塑封材料作為芯片間的填充劑，第一類感光樹脂制作線路扇出層，在保證封裝工藝精度的同時，降低了制造成本。