[發(fā)明專利]扇出型方片級(jí)封裝的制作工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410045900.8 | 申請(qǐng)日: | 2014-02-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103762183B | 公開(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳峰;耿菲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32104 | 代理人: | 殷紅梅 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市新區(qū)太湖國*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 扇出型方片級(jí) 封裝 制作 工藝 | ||
1.一種扇出型方片級(jí)封裝的制作工藝,其特征在于,包括下述步驟:
步驟一,提供承載片(101),在承載片(101)上貼覆粘結(jié)膠(102);
步驟二,將芯片(103)正貼到粘結(jié)膠(102)上;
步驟三,在承載片(101)上貼有芯片(103)的那一面上涂覆第二類絕緣樹脂(104),第二類絕緣樹脂(104)填充芯片(103)之間的溝槽,第二類絕緣樹脂(104)的高度不高于芯片(103)頂部的高度;
步驟四,在承載片(101)上貼有芯片(103)的那一面上涂覆第一類感光樹脂(107),第一類感光樹脂(107)將芯片(103)覆蓋住;
步驟五,在第一類感光樹脂(107)中形成通向芯片焊盤(106)的導(dǎo)通孔(108);
步驟六,在導(dǎo)通孔(108)中和第一類感光樹脂(107)上沉積一層種子層(109);在種子層(109)上涂覆光刻膠(110),然后使得光刻膠(110)上顯露出用于制作電鍍線路(111)的圖形,使用電鍍的方法,在顯露出的圖形區(qū)域中形成電連接芯片焊盤(106)的電鍍線路(111);
步驟七,去除光刻膠(110)和光刻膠底部的種子層(109),保留電鍍線路(111)底部的種子層(109);在承載片(101)上涂覆一層阻焊油墨(113),使得阻焊油墨(113)覆蓋電鍍線路(111);
然后在阻焊油墨(113)上顯露出電鍍線路(111)上的金屬焊盤(112)。
2.步驟八,在金屬焊盤(112)上形成焊球(114)。
3.如權(quán)利要求1所述的扇出型方片級(jí)封裝的制作工藝,其特征在于:
所述步驟一中,承載片(101)為矩形,材料為玻璃、金屬板或有機(jī)基板。
4.如權(quán)利要求1所述的扇出型方片級(jí)封裝的制作工藝,其特征在于:
所述步驟三中,第二類絕緣樹脂(104)為包含環(huán)氧樹脂、亞克力樹脂、酚醛樹脂或三嗪樹脂成分的增層材料、底填料或塑封材料。
5.如權(quán)利要求1所述的扇出型方片級(jí)封裝的制作工藝,其特征在于:
所述步驟三中,涂覆第二類絕緣樹脂(104)采用的工藝是絲網(wǎng)印刷、狹縫涂覆、噴墨打印、真空壓合、點(diǎn)膠或壓印。
6.如權(quán)利要求1所述的扇出型方片級(jí)封裝的制作工藝,其特征在于:
所述步驟三中,第二類絕緣樹脂(104)頂部低于芯片(103)頂部0~15微米。
7.如權(quán)利要求1所述的扇出型方片級(jí)封裝的制作工藝,其特征在于:
所述步驟四中,第一類感光樹脂(107)包括BCB、PBO、PSPI、聚酰亞胺、感光型環(huán)氧樹脂或干膜。
8.如權(quán)利要求1所述的扇出型方片級(jí)封裝的制作工藝,其特征在于:
所述步驟四中,涂覆第一類感光樹脂(107)采用的工藝包括旋涂、噴涂、滾涂、絲網(wǎng)印刷、狹縫涂覆、噴墨打印、滾壓或真空壓合。
9.如權(quán)利要求1所述的扇出型方片級(jí)封裝的制作工藝,其特征在于:
所述步驟六中,通過濺射金屬或化學(xué)沉銅工藝,在導(dǎo)通孔(108)中和第一類感光樹脂(107)上沉積種子層(109)。
10.如權(quán)利要求1所述的扇出型方片級(jí)封裝的制作工藝,其特征在于:
所述步驟八中,通過植球、印刷、電鍍或化學(xué)鍍工藝形成焊球(114)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





