[發明專利]半導體器件及其制作方法

在審

• 申請號: 201410045880.4
• 申請日: 2014-02-08
• 公開（公告）號: CN104835854A
• 公開（公告）日: 2015-08-12
• 發明（設計）人: 呂瑞霖;辜良智;李由
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;付偉佳

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體襯底；

摻雜阱，其形成在所述半導體襯底中且具有第一導電類型；

隔離結構，其在所述摻雜阱內橫向地將所述摻雜阱劃分為第一區和第二區；

環形摻雜區，其形成在所述第一區的橫向邊緣且具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型；以及

金屬硅化物層，其形成在所述第一區對應的半導體襯底的表面上。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：

環形耗盡區，其在所述環形摻雜區的下方和內側包圍所述環形摻雜區。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體襯底為P型半導體襯底。

4.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第一導電類型為N型，且所述第二導電類型為P型。

5.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述環形摻雜區的摻雜濃度為1×10¹³-1×10¹⁵atom/μm²。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬硅化物層為鎳、鈷、鎢、鉻、鉑、鈦、鉬、鈀或其合金的硅化物。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括重摻雜區，所述重摻雜區位于所述第二區的表面處，所述重摻雜區具有所述第一導電類型。

8.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括與所述環形摻雜區和所述重摻雜區電連接的導電插塞。

9.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底中形成具有第一導電類型的摻雜阱，并形成將所述摻雜阱劃分為第一區和第二區的隔離結構；

在所述第一區的橫向邊緣執行第一摻雜工藝，所述第一摻雜工藝摻雜具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型的導電離子，以形成環形摻雜區；以及

在所述第一區對應的半導體襯底的表面上形成金屬硅化物層。

10.如權利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述方法在形成所述隔離結構之后還包括：

在所述第二區執行第二摻雜工藝，所述第二摻雜工藝摻雜具有所述第一導電類型的導電離子，以形成重摻雜區。