[發明專利]一種制作半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201410045802.4
• 申請日: 2014-02-08
• 公開（公告）號: CN104835773B
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 陳勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/28
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種制作半導體器件的方法，包括：

提供半導體襯底，

在所述半導體襯底上依次形成墊氧化層和墊氮化物層；

刻蝕所述墊氮化物層、所述墊氧化層和所述半導體襯底，以形成淺溝槽；

在所述淺溝槽中填充第一隔離材料層，所述第一隔離材料層的表面與所述墊氮化物層的表面平齊；

回刻蝕去除部分的所述第一隔離材料層；

在剩余的所述第一隔離材料層上形成第二隔離材料層，所述第二隔離材料層的表面與所述墊氮化物層的表面平齊，其中所述第二隔離材料層具有比所述第一隔離材料層更小的介電常數，所述第一隔離材料層的材料為氧化物，所述第二隔離材料層的材料為低K氧化物；

去除所述墊氮化物層和所述墊氧化層，以露出所述半導體襯底；

在露出的所述半導體襯底的表面上形成隧穿氧化物層；

在所述隧穿氧化物層上形成浮柵；

回刻蝕去除部分的所述第二隔離材料層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在回刻蝕去除部分的所述第二隔離材料層之后在所述半導體襯底上依次形成柵介電層和控制柵極材料層的步驟。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，還包括在形成所述柵介電層和所述控制柵極材料層之后執行刻蝕工藝以形成柵極堆疊結構的步驟。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述墊氧化層的厚度為40埃至200埃，所述墊氮化物層的厚度為500埃至2000埃。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，回刻蝕所述第一隔離材料層的深度為300埃至2500埃。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，回刻蝕所述第二隔離材料層的深度為100埃至2000埃。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，回刻蝕所述第一隔離材料層的深度大于回刻蝕所述第二隔離材料層的深度。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一隔離材料層回刻蝕的深度比所述第二隔離材料層回刻蝕的深度多100埃至1000埃。