[發明專利]MOS晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 201410045265.3
• 申請日: 2014-01-30
• 公開（公告）號: CN104821276B
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發明（設計）人: 何永根
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種MOS晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成高K柵介電層，所述高K柵介電層的初始厚度大于目標厚度,所述初始厚度范圍為所述目標厚度范圍為

對所述高K柵介電層進行摻氮處理；

對所述高K柵介電層進行退火處理；

對摻氮處理后的所述高K柵介電層進行減薄處理以使剩余的所述高K柵介電層的厚度等于所述目標厚度；

在減薄后的所述高K柵介電層上形成金屬柵極。

2.如權利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于，還包括：在形成所述高K柵介電層之前，在所述半導體襯底上形成界面層。

3.如權利要求2所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述界面層的材料為氧化硅或氮氧化硅，所述界面層的厚度范圍為

4.如權利要求2所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于，還包括：在形成所述高K柵介電層之前，對所述界面層進行等離子體處理或化學處理以形成氫氧根富集的表面。

5.如權利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述退火處理的溫度范圍為400℃～800℃，時間為1s～120s；或者，所述退火處理的溫度范圍為800℃～1100℃，時間為2μs～200ms。

6.如權利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述摻氮處理為氮離子注入處理，注入能量為200ev～1500ev，注入劑量為1E14/cm²～1E17/cm²。

7.如權利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述摻氮處理為氮等離子體摻雜處理，功率為30w～3000w。

8.如權利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述減薄處理為干法刻蝕、濕法刻蝕或者兩種的結合。