[發(fā)明專利]硅襯底上生長(zhǎng)納米線的襯底處理方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410043865.6 | 申請(qǐng)日： | 2014-01-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103794474A | 公開（公告）日： | 2014-05-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊濤;王小耶 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/02 | 分類號(hào)： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 襯底 生長(zhǎng) 納米 處理 方法 | ||
1.一種在Si襯底上生長(zhǎng)納米線的襯底處理方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、將Si襯底進(jìn)行退火；
S2、將通過(guò)步驟S1退火后的襯底進(jìn)行自然氧化；
S3、將通過(guò)步驟S2自然氧化后的襯底進(jìn)行腐蝕。
2.如權(quán)利要求1所述的在Si襯底上生長(zhǎng)納米線的襯底處理方法，其特征在于，所述Si襯底晶向?yàn)?111)晶向。
3.如權(quán)利要求1所述的在Si襯底上生長(zhǎng)納米線的襯底處理方法，其特征在于，在所述步驟S1中，將所述Si襯底在700℃～1600℃下高純氣氛中退火，并在該溫度下保持8～12分鐘。
4.如權(quán)利要求1所述的在Si襯底上生長(zhǎng)納米線的襯底處理方法，其特征在于，在所述步驟S2中，在環(huán)境超凈度為千級(jí)的條件下自然氧化。
5.如權(quán)利要求1所述的在Si襯底上生長(zhǎng)納米線的襯底處理方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述自然氧化時(shí)間為12小時(shí)至72小時(shí)。
6.如權(quán)利要求1所述的在Si襯底上生長(zhǎng)納米線的襯底處理方法，其特征在于，在所述步驟S2結(jié)束后對(duì)所述Si襯底進(jìn)行清洗再進(jìn)行所述步驟S3。
7.如權(quán)利要求1所述的在Si襯底上生長(zhǎng)納米線的襯底處理方法，其特征在于，在所述步驟S3中，采用氫氟酸溶液進(jìn)行腐蝕。
8.如權(quán)利要求7所述的在Si襯底上生長(zhǎng)納米線的襯底處理方法，其特征在于，所述氫氟酸質(zhì)量百分濃度可以為0.5％～5％，腐蝕的時(shí)間為3～20秒鐘。
9.如權(quán)利要求7所述的在Si襯底上生長(zhǎng)納米線的襯底處理方法，其特征在于，所述納米線為III-V族納米線。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
