[發明專利]研磨方法在審
| 申請號: | 201410043731.4 | 申請日: | 2014-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN103962918A | 公開(公告)日: | 2014-08-06 |
| 發明(設計)人: | 戶川哲二;吉田篤史;渡邊敏史 | 申請(專利權)人: | 株式會社荏原制作所 |
| 主分類號: | B24B21/00 | 分類號: | B24B21/00;B24B21/18 |
| 代理公司: | 上海市華誠律師事務所 31210 | 代理人: | 梅高強;劉煜 |
| 地址: | 日本東京都*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 研磨 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種對晶片等基板進行研磨的研磨方法,尤其涉及一種將研磨件按壓到基板的邊緣部上對該邊緣部進行研磨的研磨方法。
背景技術
為了研磨晶片周緣部,而使用具有研磨帶或固定磨粒等研磨件的研磨裝置。這種研磨裝置,一邊使晶片旋轉,一邊使研磨件與晶片周緣部接觸而研磨晶片的周緣部。在本說明書中,將晶片的周緣部定義為將位于晶片最外周的傘形部和位于傘形部徑向內側的上邊緣部及下邊緣部包含在內的區域。
圖8(a)及圖8(b)是表示晶片周緣部的放大剖視圖。更詳細地說,圖8(a)是所謂直線型晶片的剖視圖,圖8(b)是所謂圓型晶片的剖視圖。在圖8(a)的晶片W中,傘形部是由上側傾斜部(上側傘形部)P、下側傾斜部(下側傘形部)Q及側部(頂部)R所構成的晶片W的最外周面(用符號B表示)。在圖8(b)的晶片W中,傘形部是構成晶片W的最外周面的、具有彎曲的截面的部分(用符號B表示)。上邊緣部是位于傘形部B的徑向內側的平坦部E1。下邊緣部是位于上邊緣部的相反側、位于傘形部B的徑向內側的平坦部E2。下面,將這些上邊緣部E1及下邊緣部E2統稱為邊緣部。邊緣部有時也包含形成有器件的區域。
SOI(Silicon on Insulator:硅絕緣體)基板等的制造工序如圖9所示,對于晶片W的邊緣部要求形成垂直面及水平面。SOI基板,通過將器件基板與硅基板貼合而制造。更具體地說,如圖10(a)及圖10(b)所示,將器件基板W1和硅基板W2貼合,且如圖10(c)所示那樣用研磨機磨削器件基板W1的背面,獲得圖10(d)所示那樣的SOI基板。
圖9所示的邊緣部的截面形狀,可由圖11所示的研磨裝置來形成。即,一邊使晶片W旋轉,一邊用按壓部件100將研磨臺101的緣部從上方按壓到邊緣部上,由此來研磨晶片W的邊緣部。研磨帶101的下表面構成保持有磨粒的研磨面,且該研磨面配置成與晶片W平行。并且,在使研磨帶101的緣部位于晶片W的邊緣部的狀態下,通過用按壓部件100將研磨帶101的研磨面按壓到晶片W的邊緣部上,從而可在晶片W的邊緣部上形成圖9所示那樣的直角的截面形狀即垂直面及水平面。
專利文獻1:日本專利特開2011-171647號公報
專利文獻2:日本專利特開2012-213849號公報
發明所要解決的課題
要提高圖11所示的研磨裝置的處理量,最好使用具有粗研磨面的研磨帶。這是晶片W的研磨速率(去除率)提高的緣故。但是,若將具有粗研磨面的研磨帶與晶片W的邊緣部接觸,則邊緣部的垂直面變粗,有時會使邊緣部產生缺陷。若使用具有細研磨面的研磨帶,則能夠在邊緣部上形成平滑的垂直面。但是,若使用具有細研磨面的研磨帶,則會使晶片W的研磨速率下降。
發明內容
本發明是鑒于上述以往技術中的問題而做成的,其目的在于提供一種研磨方法,能夠提高研磨速率,并能夠在基板的邊緣部上形成平滑的垂直面。
用于解決課題的手段
為了實現上述目的,本發明的一形態的研磨方法的特點是,包含這樣的工序:使基板旋轉,將第1研磨件按壓到所述基板的邊緣部,從而對該邊緣部進行研磨,將第2研磨件按壓到所述邊緣部,從而對該邊緣部進行研磨,所述第2研磨件在所述基板的徑向上配置在所述第1研磨件的內側,所述第1研磨件具有比所述第2研磨件粗的研磨面。
本發明的較佳形態的特點是,在從所述第1研磨件與所述基板的邊緣部接觸的時刻經過規定時間后,使所述第2研磨件與所述基板的邊緣部接觸。
本發明的較佳形態的特點是,所述第1研磨件與所述邊緣部接觸時的接觸寬度,大于等于所述第2研磨件與所述邊緣部接觸時的接觸寬度。
本發明的較佳形態的特點是,由所述第1研磨件研磨的所述邊緣部的去除率,高于由所述第2研磨件研磨的所述邊緣部的去除率。
本發明的較佳形態的特點是,所述第1研磨件是粗研磨用的研磨件,所述第2研磨件是精研磨用的研磨件。
本發明的較佳形態的特點是,所述第1研磨件是第1研磨帶,所述第2研磨件是第2研磨帶。
本發明的較佳形態的特點是,所述第1研磨件是第1砂輪,所述第2研磨件是第2砂輪。
發明的效果
根據本發明,先由第1研磨件研磨基板的邊緣部。因此,第2研磨件與邊緣部的接觸面積小,結果第2研磨件對邊緣部的壓力變高。于是,相比于第1研磨件具有更細的研磨面的第2研磨件能以較高的研磨速率(去除率)對基板的邊緣部進行研磨。此外,能利用具有細研磨面的第2研磨件在邊緣部上形成平滑的垂直面。
附圖說明
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