[發明專利]晶片封裝體有效
| 申請號: | 201410042921.4 | 申請日: | 2014-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN103985683B | 公開(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發明(設計)人: | 何彥仕;劉滄宇;林佳升 | 申請(專利權)人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 中國臺灣桃園縣中*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 封裝 | ||
技術領域
本發明有關于晶片封裝體及其形成方法,且特別是有關于以晶圓級封裝制程所形成的晶片封裝體。
背景技術
晶片封裝制程是形成電子產品過程中的一重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護于其中,使免受外界環境污染外,還提供晶片內部電子元件與外界的電性連接通路。
由于電子產品縮小化的需求仍持續,如何于有限空間中設置更多的導電線路成為重要課題。
發明內容
本發明一實施例提供一種晶片封裝體,包括:一半導體基底,具有一第一表面及一第二表面;一第一凹陷,自該第一表面朝該第二表面延伸;一第二凹陷,自該第一凹陷的一底部朝該第二表面延伸,其中該第一凹陷的一側壁及該底部與該第二凹陷的一第二側壁及一第二底部共同形成該半導體基底的一外側表面;一導線層,設置于該第一表面上,且延伸進入該第一凹陷及/或該第二凹陷;一絕緣層,位于該導線層與該半導體基底之間;一晶片,設置于該第一表面上;以及一導電結構,設置于該晶片與該第一表面之間。
本發明一實施例提供一種晶片封裝體,包括:一半導體基底,具有一第一表面及一第二表面;多個凹陷,自該第一表面朝該第二表面延伸,且彼此相連通,其中所述凹陷的側壁與底部共同形成該半導體基底的一外側表面;一導線層,設置于該第一表面上,且延伸進入至少其中一個所述凹陷;一絕緣層,位于該導線層與該半導體基底之間;一晶片,設置于該第一表面上;以及一導電結構,設置于該晶片與該第一表面之間。
本發明不僅有助于晶片封裝體的縮小化,還可提升導線層的可靠度。
附圖說明
圖1顯示根據本發明一實施例的晶片封裝體的剖面圖。
圖2顯示根據本發明一實施例的晶片封裝體的剖面圖。
圖3顯示根據本發明一實施例的晶片封裝體的剖面圖。
圖4顯示根據本發明一實施例的晶片封裝體的剖面圖。
附圖中符號的簡單說明如下:
100~半導體基底;100a、100b~表面;101~介電層;104、104a~導電墊;116~絕緣層;118~導線層;119~線路重布層;130a、130b~凹陷;162、162a~絕緣層;164、164a~穿基底導電結構;172~晶片;174、174a~導電結構;176~間隔層;178~承載基底;179~空腔;194、194a~導電墊;196~保護層;204~焊線。
具體實施方式
以下將詳細說明本發明實施例的制作與使用方式。然應注意的是,本發明提供許多可供應用的發明概念,其可以多種特定形式實施。文中所舉例討論的特定實施例僅為制造與使用本發明的特定方式,非用以限制本發明的范圍。此外,在不同實施例中可能使用重復的標號或標示。這些重復僅為了簡單清楚地敘述本發明,不代表所討論的不同實施例及/或結構之間必然具有任何關連性。再者,當述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時,包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。
本發明一實施例的晶片封裝體可用以封裝各種晶片。例如在本發明的晶片封裝體的實施例中,其可應用于各種包含有源元件或無源元件(active?or?passive?elements)、數字電路或模擬電路(digital?or?analog?circuits)等集成電路的電子元件(electronic?components),例如是有關于光電元件(opto?electronic?devices)、微機電系統(Micro?Electro?Mechanical?System;MEMS)、微流體系統(micro?fluidic?systems)、或利用熱、光線及壓力等物理量變化來測量的物理感測器(Physical?Sensor)。特別是可選擇使用晶圓級封裝(wafer?scale?package;WSP)制程對影像感測元件、發光二極管(light-emitting?diodes;LEDs)、太陽能電池(solar?cells)、射頻元件(RF?circuits)、加速計(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動器(micro?actuators)、表面聲波元件(surface?acoustic?wave?devices)、壓力感測器(process?sensors)噴墨頭(ink?printer?heads)、或功率金氧半場效電晶體模組(power?MOSFET?modules)等半導體晶片進行封裝。
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