[發明專利]晶片封裝體

有效

• 申請號: 201410042921.4
• 申請日: 2014-01-29
• 公開（公告）號: CN103985683B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 何彥仕;劉滄宇;林佳升
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：

一半導體基底，具有一第一表面及一第二表面；

一第一凹陷，自該第一表面朝該第二表面延伸；

一第二凹陷，自該第一凹陷的一底部朝該第二表面延伸，其中該第一凹陷的一側壁及該底部與該第二凹陷的一第二側壁及一第二底部共同形成該半導體基底的一外側表面；

一導線層，設置于該第一表面上，且延伸進入該第一凹陷及/或該第二凹陷；

一絕緣層，位于該導線層與該半導體基底之間；

一晶片，設置于該第一表面上；以及

一導電結構，設置于該晶片與該第一表面之間。

2.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括：

一介電層，位于該第一表面與該絕緣層之間；以及

一第一導電墊，位于該介電層之中，其中該導線層電性連接該第一導電墊。

3.根據權利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該導線層電性連接該導電結構。

4.根據權利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括：

一第二導電墊，位于該介電層之中；以及

一第二導電結構，設置于該晶片與該第一表面之間，且電性連接該第二導電墊。

5.根據權利要求4所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二導電結構通過一線路重布層而電性連接該第二導電墊。

6.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該半導體基底為一半導體晶片。

7.根據權利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，該半導體晶片為一影像感測晶片，而該晶片為一信號處理器晶片。

8.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該導線層延伸于該第二凹陷的該第二底部上。

9.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一焊線，該焊線電性接觸延伸進入該第一凹陷及/或該第二凹陷中的該導線層。

10.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一承載基底，該承載基底設置于該第二表面上。

11.根據權利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一間隔層，該間隔層設置于該承載基底與該半導體基底之間，其中該間隔層、該承載基底及該半導體基底共同圍繞出大抵密封的一空腔。

12.根據權利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該承載基底為一透明基底。

13.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括：

一介電層，位于該第二表面上；

一導電墊，位于該介電層之中；

一穿基底導電結構，穿過該第一表面及該第二表面，且電性連接該導電墊及該導電結構；以及

一第二絕緣層，位于該穿基底導電結構與該半導體基底之間。

14.根據權利要求13所述的晶片封裝體，其特征在于，該導線層電性連接該穿基底導電結構。

15.根據權利要求13所述的晶片封裝體，其特征在于，該導線層不電性連接該穿基底導電結構。

16.根據權利要求13所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括：

一第二導電墊，位于該介電層之中；

一第二導電結構，設置于該晶片與該第一表面之間；

一第二穿基底導電結構，穿過該第一表面及該第二表面，且電性連接該第二導電墊及該第二導電結構；以及

一第三絕緣層，位于該第二穿基底導電結構與該半導體基底之間。

17.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：

一半導體基底，具有一第一表面及一第二表面；

多個凹陷，自該第一表面朝該第二表面延伸，且彼此相連通，其中所述凹陷的側壁與底部共同形成該半導體基底的一外側表面；

一導線層，設置于該第一表面上，且延伸進入至少其中一個所述凹陷；

一絕緣層，位于該導線層與該半導體基底之間；

一晶片，設置于該第一表面上；以及

一導電結構，設置于該晶片與該第一表面之間。

18.根據權利要求17所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一焊線，該焊線電性接觸延伸進入至少其中一個所述凹陷的該導線層。