[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410042866.9
• 申請(qǐng)日: 2014-01-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103972291B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 可知?jiǎng)?/a>
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 高科

1.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件具有形成有功率MOSFET的有源部和形成于所述有源部周圍的外周部，其特征在于，

具有：

第1導(dǎo)電類型的襯底；以及

第2導(dǎo)電類型的外延層，形成于所述襯底上，所述第2導(dǎo)電類型與所述第1導(dǎo)電類型不同；

其中，所述有源部具有：

多個(gè)第1槽，形成于所述外延層且離所述外延層的上表面具有第1深度，所述多個(gè)第1槽在平面圖中在第1方向上延伸且在第2方向上相互間以第1間隔隔開(kāi)，其中，所述第2方向在平面圖中與所述第1方向正交；

第1絕緣膜，填埋于所述第1槽的內(nèi)部；

所述第1導(dǎo)電類型的第1擴(kuò)散區(qū)域，形成于相鄰的所述第1槽之間的所述外延層，且在所述第2方向上具有比所述第1間隔小的第1寬度；

所述第2導(dǎo)電類型的第2擴(kuò)散區(qū)域，形成于所述第1槽的側(cè)壁和所述第1擴(kuò)散區(qū)域之間的所述外延層，且在所述第2方向上具有第2寬度；

第3槽，形成于相鄰的所述第1槽之間的所述外延層，且離所述外延層的上表面具有第3深度；

柵極電極，隔著柵極絕緣膜地形成于所述第3槽的內(nèi)部；

所述第1導(dǎo)電類型的源極區(qū)域，形成于所述柵極電極的兩側(cè)的所述外延層，且離所述外延層的上表面具有比所述第3深度淺的第4深度；

所述第2導(dǎo)電類型的溝道區(qū)域，以圍住所述源極區(qū)域的方式形成于所述柵極電極的兩側(cè)的所述外延層，且與所述第2擴(kuò)散區(qū)域連接；以及

源極電極，與所述源極區(qū)域及所述溝道區(qū)域電連接，

其中，填埋于所述第1槽的內(nèi)部的所述第1絕緣膜的上表面位于比所述源極區(qū)域與所述溝道區(qū)域的界面更深的位置，

所述源極電極在所述第1槽的側(cè)壁與所述源極區(qū)域及所述溝道區(qū)域連接。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

還具有：

保護(hù)環(huán)布線，以在平面圖中包圍所述有源部的方式形成在所述外周部的所述外延層上，

其中，所述保護(hù)環(huán)布線經(jīng)由形成于所述外周部的所述外延層的第3擴(kuò)散區(qū)域而與所述襯底電連接。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

還具有：

第2槽，形成于所述保護(hù)環(huán)布線下方的所述外延層，且離所述外延層的上表面具有第2深度；以及

第2絕緣膜，填埋于所述第2槽的內(nèi)部，

其中，靠近所述第2槽的半導(dǎo)體芯片的角部的部分在平面圖中具有第1曲率半徑。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第1槽的底部位于所述襯底內(nèi)部。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第2擴(kuò)散區(qū)域的離所述外延層的上表面的深度比所述第1槽的所述第1深度淺。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

還具有：

形成于相鄰的所述第1槽之間且在平面圖中在所述第1方向上延伸的柵極電極。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

還具有：

在平面圖中在所述第2方向上延伸的柵極電極。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

在填埋于所述第1槽的內(nèi)部的所述第1絕緣膜中形成有空孔。