[發明專利]半導體評價裝置及半導體評價方法

有效

• 申請號: 201410042200.3
• 申請日: 2014-01-28
• 公開（公告）號: CN103969565A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 秋山肇;岡田章;山下欽也
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

技術領域

本發明涉及一種半導體評價裝置及半導體評價方法，其在向被測定物吹出流體的狀態下，實施對被測定物的電氣特性的評價。

背景技術

在對半導體晶圓狀態或半導體芯片狀態的半導體裝置（被測定物）的電氣特性進行評價時，在通過真空吸附等使被測定物的設置面與卡盤臺的表面接觸的狀態下將被測定物的設置面固定后，進行電氣輸入/輸出，因此使接觸探針與被測定物的表面接觸。另外，以往根據施加大電流、高電壓的要求等，實現了接觸探針的多針化。

已知在上述狀況下，在被測定物的評價中，局部放電現象例如在接觸探針和被測定物之間產生，產生被測定物的局部損壞、缺陷。因此，抑制上述的局部放電很重要。在將產生了局部放電的被測定物作為合格品而遺留至后續工序的情況下，在后續工序中將上述被測定物提取出是很困難的，因此，優選事先實施抑制局部放電的措施。因此，例如在專利文獻1、2中公開了抑制局部放電的方法。

在專利文獻1中記載有下述技術，即，通過在絕緣性的液體中，進行對電子部件的特性檢查，抑制該特性檢查中發生的放電。另外，在專利文獻2中記載有下述技術，即，不使用絕緣性的液體，而是通過在充滿惰性氣體的封閉空間中實施被檢查物的特性檢查，抑制在該特性檢查中發生的放電。

專利文獻1：日本特開2003－130889號公報

專利文獻2：日本特開平10－96746號公報

但是，在專利文獻1記載的技術中，必須使用高價的探測器，并且，由于在液體中進行評價，因此，存在評價工序的時間增加，不利于低成本化的問題。另外，在被測定物是晶圓測試及芯片測試中的半導體元件的情況下，必須在評價后將絕緣性液體從半導體元件上完全去除，該評價方法的使用變得困難。

在專利文獻2記載的技術中，雖然不使用絕緣性液體而是在充滿了惰性氣體的封閉空間中實施檢查，但由于評價裝置的結構復雜，因此，存在下述問題，即：不利于低成本化；以及由于在每次更換被檢查物后必須使惰性氣體充滿封閉空間，因此評價工序所花費的時間增加。

發明內容

因此，本發明的目的在于，提供一種半導體評價裝置及半導體評價方法，其成本低，且不增加評價工序所花費的時間，能夠簡單地抑制被測定物上的局部放電的發生。

本發明所涉及的半導體評價裝置具有：卡盤臺，其對被測定物進行保持；接觸探針，其用于與保持在所述卡盤臺上的所述被測定物接觸而評價該被測定物的電氣特性；以及流體吹出單元，其向所述被測定物吹出流體。

本發明所涉及的半導體評價方法具有下述工序：通過使所述接觸探針與所述被測定物接觸而進行所述被測定物的電氣評價的工序；以及在進行所述被測定物的電氣評價的工序時，由所述流體吹出單元向所述被測定物的表面吹出流體的工序。

發明的效果

根據本發明所涉及的半導體評價裝置，半導體評價裝置具有：卡盤臺，其對被測定物進行保持；接觸探針，其用于與保持在卡盤臺上的被測定物接觸而評價該被測定物的電氣特性；以及流體吹出單元，其向被測定物吹出流體。

因此，在通過接觸探針評價被測定物的電氣特性時，通過利用流體吹出單元向被測定物吹出流體，能夠簡單地抑制在評價時發生的局部放電。

由于僅向被測定物吹出流體即可，因此，無需使設置有接觸探針及被測定物的測定空間密閉，另外，由于無需在每次評價時充滿流體、或在評價后從被測定物去除流體等追加處理，因此，成本低，且能夠對評價工序所花費的時間的增加進行抑制。

根據本發明所涉及的半導體評價方法，其具有下述工序：通過使接觸探針與被測定物接觸而進行被測定物的電氣評價的工序；以及在進行被測定物的電氣評價的工序時，由流體吹出單元向被測定物的表面吹出流體的工序。

因此，在通過接觸探針對被測定物的電氣特性進行評價時，通過利用流體吹出單元向被測定物吹出流體，能夠簡單地抑制在評價時發生的局部放電。

由于僅向被測定物吹出流體即可，因此，無需使設置有接觸探針及被測定物的測定空間密閉，另外，由于無需在每次評價時充滿流體、或在評價后從被測定物去除流體等追加處理，因此，成本低，且能夠對評價工序所花費的時間的增加進行抑制。

附圖說明

圖1是實施方式1所涉及的半導體評價裝置的概略圖。

圖2是實施方式1所涉及的半導體評價裝置中的接觸探針的動作說明圖。

圖3是表示實施方式1所涉及的半導體評價裝置中的流體吹出部和流體吸入部的配置結構的俯視圖。