[發明專利]半導體評價裝置及半導體評價方法

有效

• 申請號: 201410042200.3
• 申請日: 2014-01-28
• 公開（公告）號: CN103969565A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 秋山肇;岡田章;山下欽也
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體評價裝置，其具有：

卡盤臺，其對被測定物進行保持；

接觸探針，其用于與保持在所述卡盤臺上的所述被測定物接觸而評價該被測定物的電氣特性；以及

流體吹出單元，其向所述被測定物吹出流體。

2.根據權利要求1所述的半導體評價裝置，其中，

該半導體評價裝置還具有流體吸入單元，該流體吸入單元設置在與所述流體吹出單元相對的位置處，且吸入由所述流體吹出單元吹出的流體。

3.根據權利要求1所述的半導體評價裝置，其中，

該半導體評價裝置還具有用于設置所述接觸探針的絕緣性基體，

所述流體吹出單元設置在所述絕緣性基體上。

4.根據權利要求2所述的半導體評價裝置，其中，

該半導體評價裝置還具有用于設置所述接觸探針的絕緣性基體，

所述流體吹出單元及所述流體吸入單元設置在所述絕緣性基體上。

5.根據權利要求3所述的半導體評價裝置，其中，

所述流體吹出單元在所述絕緣性基體上，設置在與所述接觸探針相鄰的位置處。

6.根據權利要求1所述的半導體評價裝置，其中，

該半導體評價裝置還具有控制單元，該控制單元在開始評價所述被測定物的電氣特性的同時，開始通過所述流體吹出單元吹出流體。

7.根據權利要求1所述的半導體評價裝置，其中，

所述流體吹出單元具有噴嘴。

8.根據權利要求1所述的半導體評價裝置，其中，

所述流體吹出單元設置為能夠向所述被測定物的表面整體吹出流體。

9.根據權利要求1所述的半導體評價裝置，其中，

所述流體吹出單元設置為能夠向所述被測定物的外緣部吹出流體。

10.根據權利要求1所述的半導體評價裝置，其中，

所述接觸探針及所述流體吹出單元各自設置在所述被測定物的正反面側。

11.根據權利要求10所述的半導體評價裝置，其中，

將由所述流體吹出單元吹出的流體吸入的流體吸入單元，分別設置在所述被測定物的正反面側的與所述流體吹出單元相對的位置處。

12.根據權利要求1所述的半導體評價裝置，其中，

由所述流體吹出單元吹出的流體為六氟化硫氣體、二氧化碳氣體或氮氣。

13.根據權利要求7所述的半導體評價裝置，其中，

在所述噴嘴上設置有第1溫度調整單元，該第1溫度調整單元對由所述流體吹出單元吹出的流體的溫度進行調整。

14.根據權利要求13所述的半導體評價裝置，其中，

所述第1溫度調整單元將流體的溫度調整為與評價所述被測定物的電氣特性時的所述被測定物的溫度相同的溫度。

15.根據權利要求9所述的半導體評價裝置，其中，

在所述接觸探針上設置有遮擋單元，該遮擋單元進行遮擋以使得由所述流體吹出單元吹出的流體不從所述被測定物的外緣部流入至內側。

16.根據權利要求9所述的半導體評價裝置，其中，

在所述絕緣性基體上設置有遮擋單元，該遮擋單元進行遮擋以使得由所述流體吹出單元吹出的流體不從所述被測定物的外緣部流入至內側。

17.根據權利要求15所述的半導體評價裝置，其中，

所述遮擋單元由金屬板形成。

18.根據權利要求15所述的半導體評價裝置，其中，

所述遮擋單元由絕緣物形成。

19.根據權利要求15所述的半導體評價裝置，其中，

在所述遮擋單元上設置有第2溫度調整單元，該第2溫度調整單元對該遮擋單元的溫度進行調整。

20.一種半導體評價方法，在該方法中，使用權利要求1所述的半導體評價裝置，

該半導體評價方法具有下述工序：

通過使所述接觸探針與所述被測定物接觸而進行所述被測定物的電氣評價的工序；以及

在進行所述被測定物的電氣評價的工序時，由所述流體吹出單元向所述被測定物的表面吹出流體的工序。

21.一種半導體評價方法，在該方法中，使用權利要求2所述的半導體評價裝置，

該半導體評價方法具有下述工序：

通過使所述接觸探針與所述被測定物接觸而進行所述被測定物的電氣評價的工序；

在進行所述被測定物的電氣評價的工序時，由所述流體吹出單元向所述被測定物的表面吹出流體的工序；以及

通過所述流體吸入單元，將在向所述被測定物的表面吹出流體的工序時所吹出的流體吸入的工序。