[發明專利]晶圓級封裝結構及其形成方法、以及封裝方法

有效

• 申請號: 201410041994.1
• 申請日: 2014-01-28
• 公開（公告）號: CN103762221B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發明（設計）人: 劉張波;王之奇;喻瓊;王蔚
• 申請（專利權）人: 蘇州晶方半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶圓級封裝結構，其特征在于，包括：

待封裝晶圓，所述待封裝晶圓包括若干芯片區域和位于芯片區域之間的切割道區域，且所述待封裝晶圓包括第一面和與所述第一面相對的第二面；

位于所述待封裝晶圓芯片區域第一面的焊墊和感光元件；

覆蓋于所述焊墊和切割道區域表面的第一圍堤結構，位于第一圍堤結構上方的第二圍堤結構，第二圍堤結構的寬度小于第一圍堤結構的寬度，且第二圍堤結構的位置對應于切割道區域的位置；

與所述待封裝晶圓第一面相對設置的封裝蓋，且通過所述第一圍堤結構和第二圍堤結構將封裝蓋與待封裝晶圓固定接合。

2.根據權利要求1所述晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第二圍堤結構的寬度小于切割道區域的寬度。

3.根據權利要求1所述晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第二圍堤結構位于第一圍堤結構表面，且第二圍堤結構和第一圍堤結構為一體結構。

4.根據權利要求1所述晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第一圍堤結構的頂部高于感光元件的頂部。

5.根據權利要求4所述晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第一圍堤結構頂部至感光元件頂部的距離為1μm至50μm。

6.根據權利要求1所述晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第二圍堤結構為一個或多個分立的結構。

7.根據權利要求1所述晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第二圍堤結構和第一圍堤結構之間還形成有一個或多個第三圍堤結構。

8.根據權利要求1所述晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第一圍堤結構和第二圍堤結構的材料相同，為光刻膠或樹脂；所述封裝蓋的材料為無機玻璃、有機玻璃或硅基底。

9.一種晶圓級封裝結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供待封裝晶圓，所述待封裝晶圓包括若干芯片區域和位于芯片區域之間的切割道區域，所述待封裝晶圓包括第一面和與所述第一面相對的第二面，且所述待封裝晶圓芯片區域的第一面具有焊墊和感光元件；

形成覆蓋于所述焊墊和切割道區域表面的初始圍堤結構；

對所述初始圍堤結構進行裁剪處理，形成第一圍堤結構、以及位于第一圍堤結構上方的第二圍堤結構，所述第二圍堤結構的寬度小于第一圍堤結構的寬度，所述第一圍堤結構覆蓋于焊墊和切割道區域表面，所述第二圍堤結構的位置對應于切割道區域對應的位置；

形成與待封裝晶圓第一面相對封裝蓋，且通過所述第一圍堤結構和第二圍堤結構將封裝蓋與待封裝晶圓固定接合。

10.根據權利要求9所述晶圓級封裝結構的形成方法，其特征在于，所述裁剪處理的工藝為鐳射工藝或曝光顯影工藝。

11.根據權利要求10所述晶圓級封裝結構的形成方法，其特征在于，所述初始圍堤結構的材料為正光刻膠時，所述裁剪處理的工藝為鐳射工藝或曝光顯影工藝；所述初始圍堤結構的材料為負光刻膠或樹脂時，所述裁剪處理的工藝為鐳射工藝。

12.根據權利要求9所述晶圓級封裝結構的形成方法，其特征在于，通過直接鍵合或利用粘合劑粘合的工藝將封裝蓋與待封裝晶圓固定接合。

13.根據權利要求9所述晶圓級封裝結構的形成方法，其特征在于，所述第一圍堤結構的頂部高于感光元件的頂部。

14.根據權利要求13所述晶圓級封裝結構的形成方法，其特征在于，所述第一圍堤頂部至感光元件頂部的距離為1μm至50μm。

15.根據權利要求9所述晶圓級封裝結構的形成方法，其特征在于，所述第二圍堤結構為一個或多個分立的結構，所述第二圍堤結構的寬度小于切割道區域的寬度。

16.根據權利要求9所述晶圓級封裝結構的形成方法，其特征在于，所述第二圍堤結構位于第一圍堤結構表面，且第二圍堤結構和第一圍堤結構為一體結構。

17.根據權利要求9所述晶圓級封裝結構的形成方法，其特征在于，第二圍堤結構和第一圍堤結構之間形成有一個或多個第三圍堤結構。