[發明專利]用于加工載體的方法和用于制作電荷儲存存儲基元的方法

有效

• 申請號: 201410041554.6
• 申請日: 2014-01-28
• 公開（公告）號: CN103972178B
• 公開（公告）日: 2017-04-05
• 發明（設計）人: W.朗海因里希;J.鮑威爾;M.勒里希;岑栢湛;M.施蒂夫廷格;R.施特倫茨
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技德累斯頓有限責任公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/28;H01L29/423;H01L21/336;H01L27/11534
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 王岳,徐紅燕

1.一種用于加工載體的方法，所述方法包括：

在載體上方形成結構，該結構包括至少兩個相鄰的結構元件，所述至少兩個相鄰的結構元件按照它們之間的第一距離布置；

在該結構上方沉積分隔器層，其中分隔器層被沉積為具有大于第一距離的一半的厚度，其中分隔器層包括導電分隔器材料；

去除分隔器層的一部分，其中分隔器層的分隔器材料保留在所述至少兩個相鄰的結構元件之間的區域中；以及

以電氣方式接觸剩余分隔器材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述結構元件中的至少一個結構元件形成金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的至少一部分。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述結構元件中的至少一個結構元件形成金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的柵極的一部分。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述結構元件中的至少一個結構元件包括金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的浮柵。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述結構元件中的至少一個結構元件包括浮柵金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的浮柵和控制柵中的至少一個。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述結構元件中的至少一個結構元件是虛擬結構元件。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述分隔器材料包括多晶硅。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述分隔器層沉積為具有小于或等于大約200 nm的厚度。

9.根據權利要求1所述的方法，其中去除分隔器層的一部分包括：露出結構元件的表面，同時分隔器材料至少部分地保留在結構元件的側壁。

10.根據權利要求9所述的方法，其中在結構元件的側壁的剩余分隔器材料提供場效應晶體管的控制線。

11.根據權利要求1所述的方法，其中以電氣方式接觸剩余分隔器材料包括：

在分隔器層上方沉積掩模材料；

去除掩模材料以部分地露出結構元件之間的剩余分隔器材料；以及

沉積所述接觸結構元件之間的剩余分隔器材料的導電材料。

12.一種用于制作電荷儲存存儲基元的方法，所述方法包括：

在晶片上方形成電荷儲存存儲基元結構，電荷儲存存儲基元結構包括至少兩個相鄰的電荷儲存存儲基元結構元件，所述至少兩個相鄰的電荷儲存存儲基元結構元件按照它們之間的第一距離布置；

在電荷儲存存儲基元結構上方沉積分隔器層，其中分隔器層被沉積為具有大于第一距離的一半的分隔器層厚度，其中分隔器層包括導電分隔器材料；

部分地去除分隔器層，其中分隔器層的分隔器材料保留在所述至少兩個相鄰的電荷儲存存儲基元結構元件之間的至少一個區域中；以及

以電氣方式接觸剩余分隔器材料。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述電荷儲存存儲基元結構元件中的至少一個電荷儲存存儲基元結構元件形成金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的至少一部分。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述電荷儲存存儲基元結構元件中的至少一個電荷儲存存儲基元結構元件包括金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的柵極的至少一部分。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述電荷儲存存儲基元結構元件中的至少一個電荷儲存存儲基元結構元件包括金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的浮柵的至少一部分。

16.根據權利要求12所述的方法，其中所述電荷儲存存儲基元結構元件中的至少一個電荷儲存存儲基元結構元件包括浮柵金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的浮柵和控制柵中的至少一個。

17.根據權利要求12所述的方法，其中所述電荷儲存存儲基元結構元件中的至少一個電荷儲存存儲基元結構元件是虛擬結構元件。

18.根據權利要求12所述的方法，其中所述分隔器材料包括多晶硅。

19.根據權利要求12所述的方法，其中所述至少兩個相鄰的電荷儲存存儲基元結構元件之間的第一距離小于或等于大約400 nm。

20.根據權利要求19所述的方法，其中所述分隔器層沉積為具有小于或等于大約200 nm的厚度。