[發明專利]用于加工載體的方法和用于制作電荷儲存存儲基元的方法有效
| 申請號: | 201410041554.6 | 申請日: | 2014-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN103972178B | 公開(公告)日: | 2017-04-05 |
| 發明(設計)人: | W.朗海因里希;J.鮑威爾;M.勒里希;岑栢湛;M.施蒂夫廷格;R.施特倫茨 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技德累斯頓有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L21/28;H01L29/423;H01L21/336;H01L27/11534 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 王岳,徐紅燕 |
| 地址: | 德國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 加工 載體 方法 制作 電荷 儲存 存儲 | ||
技術領域
各種實施例一般地涉及一種用于加工載體的方法、用于制作電荷儲存存儲基元的方法、用于加工芯片的方法和用于以電氣方式接觸分隔器結構的方法。
背景技術
制作集成電路(也稱為IC、芯片或微芯片)通常包括多個過程。半導體加工的一項發展是集成電路的縮放以實現最小的實用的特征尺寸。半導體工業的另一驅動因素是降低生產成本。降低成本的一種方法可直接與需要的過程的數量相關,其中通常希望僅使用盡可能少的數量的過程。由于可能因為未對準、有限的覆蓋準確性、產生于沉積過程和蝕刻過程的不均勻性而由各過程引入相對于最佳設計的配置的誤差或偏差,所以減小的數量的過程不僅可降低成本,它還可增加產量,增加總體過程的可再現性,使有缺陷的結構元件的數量最小化,并且可減少用于電子部件的生產的時間。
在這個方面,如果電氣接觸器的尺寸同樣是小的,則以電氣方式接觸小的結構元件(小意味著結構元件的橫向尺寸可處于平面加工的相應特征尺寸的范圍中)可引起問題,并且所包括的圖案化過程的覆蓋準確性可變得相關。因此,對于結構元件的橫向尺寸并不顯著大于電氣接觸器自身的結構,結構元件的電氣接觸可能不可靠。根據這一點,通常包括產生較大接觸平臺區域的另外的過程,包括一個或多個沉積過程、光刻過程、蝕刻過程(等),如上所述可能不希望這些過程,因為過程的數量可能增加。
發明內容
根據各種實施例的用于加工載體的方法可包括:在載體上方形成結構,該結構包括至少兩個相鄰的結構元件,所述至少兩個相鄰的結構元件按照它們之間的第一距離布置;在該結構上方沉積分隔器層,其中分隔器層可被沉積為具有大于第一距離的一半的厚度,其中分隔器層可包括導電分隔器材料;去除分隔器層的一部分,其中分隔器層的分隔器材料可保留在所述至少兩個相鄰的結構元件之間的區域中;以及以電氣方式接觸剩余的分隔器材料。
附圖說明
在附圖中,相同標號通常在不同示圖中始終表示相同部分。附圖未必按比例繪制,而是通常把重點放在表示本發明的原理上。在下面的描述中,參照下面的附圖描述本發明的各種實施例,其中:
圖1以根據各種實施例的流程圖顯示用于加工載體的方法;
圖2A示意性地顯示根據各種實施例的在初始加工階段的載體的橫截面;
圖2B示意性地顯示根據各種實施例的在第一加工階段的載體和形成在載體上方的對應結構的橫截面;
圖2C示意性地顯示根據各種實施例的在第二加工階段的載體和對應結構的橫截面,其中分隔器層形成在載體和對應結構上方;
圖2D示意性地顯示根據各種實施例的在第三加工階段的載體和對應結構的橫截面,其中分隔器層的一部分被去除;
圖2E示意性地顯示根據各種實施例的在第四加工階段的載體和對應結構的橫截面,其中以電氣方式接觸剩余的分隔器;
圖2F示意性地顯示根據各種實施例的載體和對應結構的橫截面;
圖3A示意性地顯示根據各種實施例的在中間加工階段的載體和形成在載體上方的對應結構的橫截面;
圖3B示意性地顯示根據各種實施例的在中間加工階段的載體和形成在載體上方的對應結構的橫截面;
圖3C示意性地顯示根據各種實施例的在加工階段的載體和對應結構的橫截面,其中分隔器層形成在載體和對應結構上方;
圖3D示意性地顯示根據各種實施例的在加工階段的載體和對應結構的橫截面,其中分隔器層的一部分被去除;
圖3E示意性地顯示根據各種實施例的在加工階段的載體和對應結構的橫截面,其中以電氣方式接觸剩余的分隔器;
圖4示意性地顯示根據各種實施例的載體和對應結構的俯視圖,其中分隔器材料保留在結構元件的側壁的兩個部分之間;
圖5示意性地顯示根據各種實施例的包括多個結構元件的載體的俯視圖,其中結構元件形成為U形并且分隔器材料分別保留在結構元件的側壁的至少兩個部分之間;
圖6示意性地顯示根據各種實施例的包括多個結構元件的載體的俯視圖,其中結構元件形成為U形并且分隔器材料分別保留在兩個相鄰的結構元件的兩個側壁之間;
圖7示意性地顯示根據各種實施例的包括多個結構元件的載體的俯視圖,其中結構元件形成為U形并且分隔器材料分別保留在結構元件的側壁的至少兩個部分之間并且也保留在結構元件和另外的虛擬結構元件之間,其中虛擬結構元件具有橢圓形形狀;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





