[發明專利]電路板、光電子構件和光電子構件的裝置

在審

• 申請號: 201410041542.3
• 申請日: 2014-01-28
• 公開（公告）號: CN103972361A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 馬丁·魯道夫·貝林格;斯特凡·格勒奇
• 申請（專利權）人: 歐司朗股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L31/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;張春水

1.一種用于光電子半導體芯片（2）的電路板（1），具有：

-導電的第一金屬薄膜（11）；

-第一電絕緣薄膜（12）；

-導電的第二金屬薄膜（13），其中

-所述第一電絕緣薄膜（12）在所述第一金屬薄膜（11）的上側上施加到所述第一金屬薄膜（11）上并且與所述第一金屬薄膜機械地連接，

-所述第一電絕緣薄膜（12）具有留空部（15），在所述留空部中露出所述第一金屬薄膜（11），

-所述留空部（15）設置用于，將所述光電子半導體芯片在所述留空部（15）之內導電地固定在所述第一金屬薄膜（11）上，

-將所述第二金屬薄膜（13）施加在所述第一電絕緣薄膜（12）的背離所述第一金屬薄膜（11）的上側上并且與其機械地連接，

-所述第一電絕緣薄膜（12）至少在所述留空部（15）的區域中不具有所述第二金屬薄膜（13），并且

-所述第二金屬薄膜（13）設置用于電接觸所述光電子半導體芯片（2）。

2.根據上一項權利要求所述的電路板（1），其中所述第一金屬薄膜（11）和所述第二金屬薄膜（13）經由粘接劑（16）與電絕緣的薄膜（12）連接。

3.根據上述權利要求中的任一項所述的電路板（1），其中所述第一電絕緣薄膜（12）除所述留空部（15）之外在所述第一金屬薄膜的上側上完全地覆蓋所述第一金屬薄膜（11），其中所述留空部（15）在橫向方向（l）上完全地被所述第一電絕緣薄膜（12）的材料包圍。

4.根據上述權利要求中的任一項所述的電路板（1），其中所述第一金屬薄膜（11）和所述第二金屬薄膜（13）分別由鋁薄膜形成。

5.根據上述權利要求中的任一項所述的電路板（1），其中所述第一金屬薄膜（11）和所述第二金屬薄膜（13）分別具有位于至少20μm和至多400μm之間的厚度。

6.根據上述權利要求中的任一項所述的電路板（1），其具有第二電絕緣薄膜（14），所述第二電絕緣薄膜在所述第一金屬薄膜（11）的背離所述第一電絕緣薄膜（12）的下側上施加到所述第一金屬薄膜（11）上并且與其機械地連接。

7.根據上一項權利要求所述的電路板（1），其中所述第二電絕緣薄膜（14）在其背離所述第一金屬薄膜（11）的下側上具有粘接層（17）。

8.一種光電子構件（3），具有：

-根據上述權利要求中的任一項所述的電路板（1）；和

-光電子半導體芯片（2），其中

-所述光電子半導體芯片（2）在所述留空部（15）之內導電地固定在所述第一金屬薄膜（11）上，并且

-所述光電子半導體芯片（2）與所述第二金屬薄膜（13）導電地連接。

9.根據上一項權利要求所述的光電子構件（3），其中所述光電子半導體芯片（2）經由固定在所述光電子半導體芯片（2）和所述第二金屬薄膜（13）上的接觸元件、尤其是接合線（21）與所述第二金屬薄膜（13）導電地連接。

10.根據上兩項權利要求中的至少一項所述的光電子構件（3），其中所述光電子半導體芯片（2）被澆注體（22）包圍，其中所述澆注體（22）與所述第一金屬薄膜（11）和所述第一電絕緣薄膜（12）直接地接觸。

11.一種光電子構件的裝置，具有

-根據上三項權利要求中的至少一項所述的至少兩個光電子構件（3），其中

-所述光電子構件（3）中的第二個設置在所述光電子構件（3）中的第一個上，使得所述第二光電子構件的第一金屬薄膜（11）局部地遮蓋所述第一光電子構件的第二金屬薄膜（13），并且這兩個金屬薄膜（11，13）相互導電地且機械地連接，其中所述第一光電子構件和第二光電子構件電串聯。

12.根據上一項權利要求所述的裝置，其中所述光電子構件（3）中的三個或更多個彼此相疊地設置，其中所述光電子構件（3）分別經由在所述光電子構件中的一個的第一金屬薄膜（11）與直接位于其下的所述光電子構件的第二金屬薄膜（13）的導電的并且機械的連接而電串聯。

13.根據上兩項權利要求中的至少一項所述的裝置，其中所有光電子構件（3）在連接區域（31）之內彼此重疊，并且所述光電子構件（3）的所述光電子半導體芯片（2）不重疊。

14.根據上三項權利要求中的至少一項所述的裝置，其中所述光電子半導體芯片（2）沿著至少一條假設的線、尤其是假設的圓（K）或假設的螺旋線（S）設置。