[發明專利]半導體功率器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410041435.0
• 申請日: 2014-01-28
• 公開（公告）號: CN104218084B
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 弗朗索瓦·赫伯特;金寧培;文振宇;李倞鎬
• 申請（專利權）人: 美格納半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/08
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;吳鵬章

1.一種半導體功率器件，包括：

第一導電型半導體襯底；

形成在所述半導體襯底上的外延層；

形成在所述半導體襯底中的第二導電型阱；

形成在所述阱中的漏極區；

將柵極區絕緣于所述漏極區的氧化物層；

形成在所述阱中的第一導電型埋層；

沿著至少所述埋層的側面和底面圍繞所述埋層的第二導電型漂移區；以及

形成在所述埋層與所述氧化物層之間的第二導電型TOP區。

2.根據權利要求1所述的半導體功率器件，包括多個埋層和多個漂移區，所述多個漂移區各自圍繞所述多個埋層中的埋層，

其中所述多個埋層在所述氧化物層下方沿垂直方向彼此間隔開，并且所述多個漂移區彼此部分重疊。

3.根據權利要求1所述的半導體功率器件，其中所述外延層為第一導電型外延層；

所述漂移區完全包圍所述埋層；以及

所述TOP區形成在介于所述氧化物層與所述埋層之間的區域中并沿著水平方向朝向所述柵極區延伸。

4.根據權利要求1所述的半導體功率器件，其中所述氧化物層包括選自局部硅氧化(LOCOS)氧化物層、片狀氧化物層以及淺溝槽隔離(STI)層中的一種。

5.根據權利要求1所述的半導體功率器件，還包括形成在所述外延層的沒有形成所述阱的部分中的第一導電型本體區。

6.根據權利要求1所述的半導體功率器件，

其中所述漏極區形成為溝槽結構。

7.根據權利要求6所述的半導體功率器件，

其中所述漏極區接觸所述漂移區的一端和所述埋層的一端。

8.根據權利要求1所述的半導體功率器件，包括多個外延層，所述第一導電型外延層為所述多個外延層中之一。

9.一種半導體功率器件，包括：

第一導電型半導體襯底；

形成在所述半導體襯底上的第二導電型外延層；

形成在所述半導體襯底中的第二導電型阱；

形成在所述阱中的漏極區；

將柵極區絕緣于所述漏極區的氧化物層；

形成在所述阱中的第一導電型第一埋層；

第一導電型第二埋層，所述第一導電型第二埋層形成在其中沒有形成所述阱的所述半導體襯底上；

沿著至少所述第一埋層的側面和底面圍繞所述第一埋層的第二導電型第一漂移區；以及

形成在所述第一埋層與所述氧化物層之間的第二導電型TOP區。

10.根據權利要求9所述的半導體功率器件，包括多個第一埋層和多個第一漂移區，所述多個第一漂移區各自圍繞所述多個第一埋層中的所述第一埋層，

其中所述多個第一埋層在所述氧化物層下方沿垂直方向彼此間隔開，并且所述多個第一漂移區彼此部分重疊。

11.根據權利要求9所述的半導體功率器件，其中所述第一漂移區完全包圍所述第一埋層，以及

所述TOP區形成在介于所述氧化物層與所述第一埋層之間的溝道中并且沿著水平方向朝向所述柵極區延伸。

12.根據權利要求9所述的半導體功率器件，包括多個第二埋層，所述多個第二埋層沿垂直方向彼此間隔開。

13.根據權利要求9所述的半導體功率器件，其中所述氧化物層包括選自局部硅氧化(LOCOS)氧化物層、片狀氧化物層以及淺溝槽隔離(STI)層中的一種。

14.根據權利要求9所述的半導體功率器件，還包括形成在其中沒有形成所述阱的所述半導體襯底上的第一導電型本體區。