[發明專利]圖像傳感器及其制造方法有效
| 申請號: | 201410039762.2 | 申請日: | 2014-01-27 |
| 公開(公告)號: | CN104425523B | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發明(設計)人: | 金淵秀;魯景旭;諸鍾炫;金都煥 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L21/8238 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 及其 制造 方法 | ||
1.一種圖像傳感器,包括:
襯底,所述襯底具有分別形成在多個像素上的光電轉換區;
電荷陷阱區,所述電荷陷阱區與各個光電轉換區重疊,并且針對每個相應像素而具有不同的深度或厚度;以及
濾色器,所述濾色器形成在所述電荷陷阱區上,
其中,所述光電轉換區的每個包括:
第一導電類型的第一摻雜劑區;以及
第二導電類型的第二摻雜劑區,所述第二導電類型與所述第一導電類型互補,
其中,與所述光電轉換區相對應的所述電荷陷阱區包括所述第一導電類型的摻雜劑區,以及
其中,所述電荷陷阱區形成在所述濾色器與所述光電轉換區之間。
2.如權利要求1所述的圖像傳感器,其中,針對經由所述電荷陷阱區的所述像素而輸入的較長波長的入射光,所述電荷陷阱區的深度或厚度增大。
3.如權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述電荷陷阱區具有與深度無關的恒定的摻雜濃度,或者具有與所述深度成反比地減小的摻雜濃度。
4.如權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述第一摻雜劑區形成在所述襯底的正面的表面上,所述第二摻雜劑區被形成為與所述第一摻雜劑區接觸,以及所述電荷陷阱區形成在所述襯底的背面的表面上,并且所述第一摻雜劑區、所述第二摻雜劑區以及所述電荷陷阱區彼此重疊且順序層疊。
5.如權利要求4所述的圖像傳感器,其中,在所述多個像素上的所述第一摻雜劑區具有一致的深度或厚度。
6.如權利要求4所述的圖像傳感器,其中,所述第二摻雜劑區與所述電荷陷阱區以設定的距離設置,所述第二摻雜劑區具有一致的深度或厚度,而所述電荷陷阱區針對每個像素具有不同的深度或厚度。
7.如權利要求4所述的圖像傳感器,其中,所述第二摻雜劑區和所述電荷陷阱區彼此接觸,所述第二摻雜劑區和所述電荷陷阱區針對每個像素具有不同的深度或厚度,以及
所述第二摻雜劑區的深度或厚度與所述電荷陷阱區的深度或厚度成反比。
8.如權利要求1所述的圖像傳感器,還包括:
阻擋層,所述阻擋層形成在所述襯底上,并且與所述電荷陷阱區接觸;所述濾色器,所述濾色器形成在所述阻擋層上;以及
微透鏡,所述微透鏡形成在所述濾色器上。
9.一種圖像傳感器,包括:
襯底,所述襯底具有第一像素和第二像素,所述第一像素適用于響應于第一波長頻帶的入射光而產生第一像素信號,而所述第二像素適用于響應于第二波長頻帶的入射光而產生第二像素信號;
第一光電轉換區和第二光電轉換區,所述第一光電轉換區和所述第二光電轉換區分別與所述第一像素和所述第二像素相對應而形成在所述襯底上;
第一電荷陷阱區,所述第一電荷陷阱區與所述第一光電轉換區重疊;
第二電荷陷阱區,所述第二電荷陷阱區與所述第二光電轉換區重疊;以及
第一濾色器和第二濾色器,所述第一濾色器和所述第二濾色器分別形成在所述第一電荷陷阱區和所述第二電荷陷阱區上,
其中,所述第二波長頻帶的波長比所述第一波長頻帶的波長短,所述第二電荷陷阱區的深度或厚度比所述第一電荷陷阱區的深度或厚度小,
其中,所述第一電荷陷阱區和所述第二電荷陷阱區形成在所述第一濾色器和所述第二濾色器與所述第一光電轉換區和所述第二光電轉換區之間。
10.如權利要求9所述的圖像傳感器,其中,所述第一像素包括紅色像素,而所述第二像素包括綠色像素或藍色像素。
11.如權利要求9所述的圖像傳感器,其中,所述第一像素包括綠色像素,而所述第二像素包括藍色像素。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





