[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201410039519.0
• 申請日: 2014-01-27
• 公開（公告）號: CN104810050B
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發明（設計）人: 村上洋樹;荒川賢一
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張然;李昕巍

1.一種半導體存儲裝置，包括鉗位電壓生成電路，所述鉗位電壓生成電路向耦合于位線的讀出節點的電荷轉移晶體管提供鉗位電壓，所述半導體存儲裝置的特征在于，

所述鉗位電壓生成電路包括：

仿真用晶體管，漏極耦合于第1電位，源極耦合于節點，鉗位電壓耦合于柵極；

電流設定構件，連接于所述節點與第2電位之間，對從所述節點流至所述第2電位的電流進行設定；以及

恒電壓輸出構件，輸入從所述節點反饋的電壓與基準電壓，以所述反饋的電壓一致于所述基準電壓的方式來控制所述鉗位電壓的輸出。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

所述電流設定構件設定所述仿真用晶體管的漏極電流。

3.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

所述電流設定構件包括并聯連接的多個電流設定用晶體管、及分別串聯連接于所述多個電流設定用晶體管的電流源，所述電流設定構件通過使從所述多個電流設定用晶體管之中選擇的電流設定用晶體管導通來設定電流。

4.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

閃速存儲器還預先存儲復制有位線的電流的復制數據，所述電流設定構件基于所述復制數據來設定電流。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

所述復制數據是存儲在每個半導體芯片的熔絲寄存器。

6.根據權利要求3所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

閃速存儲器還預先存儲復制有位線的電流的復制數據，

所述電流設定構件基于所述復制數據來選擇要導通的電流設定用晶體管。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

所述電流設定構件在開始經由所述電荷轉移晶體管來對位線進行預充電的固定期間內，設定相對較大的所述仿真用晶體管的漏極電流，在所述固定期間結束后設定流經所述電流設定構件的電流，所述流經所述電流設定構件的電流仿真所述電荷轉移晶體管的漏極電流。

8.根據權利要求7所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

所述相對較大的漏極電流被預先存儲于存儲器中。

9.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

所述第1電位與供給至所述讀出節點的電位相等，所述仿真用晶體管的漏極電流與所述電荷轉移晶體管的漏極電流相等。

10.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

所述恒電壓輸出構件包括調節器，所述調節器對非反轉輸入端子輸入所述基準電壓，對反轉輸入端子輸入所述反饋的電壓，并輸出所述鉗位電壓。

11.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

所述恒電壓輸出構件包括基于所選擇的電流值來生成所述基準電壓的電流鏡電路，所述電流鏡電路耦合于大于所述第1電位的第3電位。