[發明專利]功率集成器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201410037708.4
• 申請日: 2014-01-26
• 公開（公告）號: CN104810363B
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發明（設計）人: 鄭玉寧;陳建國;張楓
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/8238
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 許靜,安利霞

1.一種功率集成器件的制作方法，其特征在于，包括：

向半導體基底中摻雜第一離子，形成第一導電類型的重摻雜基底；

在所述重摻雜基底的背面形成第一阻擋層薄膜，在所述重摻雜基底的正面形成第二阻擋層薄膜；

圖形化所述第二阻擋層薄膜，形成第二阻擋層的圖案；

以所述第二阻擋層圖案為掩膜，向所述重摻雜基底摻雜第二離子，形成第二導電類型的重摻雜埋層；

通過干法刻蝕僅去除第二阻擋層；

在所述重摻雜埋層的上方形成第二導電類型的輕摻雜外延層；

在所述第一阻擋層薄膜之下形成金屬層，其中，所述第一離子和金屬層的接觸形成低接觸電阻。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半導體基底為硅半導體基底；所述第一離子為砷離子。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，通過一次工藝形成所述第一阻擋層薄膜和第二阻擋層薄膜。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一阻擋層和第二阻擋層均包括氮化硅層和墊氧層的復合層，所述墊氧層靠近所述重摻雜基底的一側。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，通過一次工藝形成所述第一阻擋層薄膜和第二阻擋層薄膜包括：

通過熱氧化工藝在所述重摻雜基底的正面和背面形成墊氧層；

將所述重摻雜基底放入低壓爐管中，由二氯二氫硅和氨氣反應生成氮化硅，在所述墊氧層上形成氮化硅層。

6.一種功率集成器件，其特征在于，所述功率集成器件利用如權利要求1所述制作方法制造；所述功率集成器件包括：

第一導電類型的重摻雜基底，所述重摻雜基底中摻雜有第一離子；

金屬層，形成在所述重摻雜基底的背面；

其中，所述第一離子和金屬層的接觸形成低接觸電阻；

第二導電類型的重摻雜埋層圖案，形成在所述重摻雜基底的正面；

第二導電類型的輕摻雜外延層，形成在所述重摻雜埋層上方；

第一阻擋層，位于所述重摻雜基底和所述金屬層之間。

7.根據權利要求6所述的功率集成器件，其特征在于，所述第一離子為砷離子。

8.根據權利要求6所述的功率集成器件，其特征在于，所述第一阻擋層包括氮化硅層和墊氧層，所述墊氧層靠近所述重摻雜基底的一側。