[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410037426.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-01-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103745968A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 譚小春 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 矽力杰半導(dǎo)體技術(shù)(杭州)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/495 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制備 方法 | ||
1.一種封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:引線框架、芯片層、電連接體及塑封料,所述芯片層位于所述引線框架上方,所述芯片層至少包括一塊芯片,所述芯片的有源面通過(guò)電連接體電連接到所述引線框架上;所述塑封料囊封所述芯片層、電連接體及引線框架;
其中,所述引線框架包括多個(gè)引腳,所述引腳用于電連接芯片的一面為頂面,與所述頂面相對(duì)的一面為底面,所述頂面和底面之間的側(cè)面為兩個(gè)相對(duì)的第一側(cè)面及兩個(gè)相對(duì)的第二側(cè)面,所述第一側(cè)面比所述第二側(cè)面狹長(zhǎng);
所述頂面和底面之間至少具有一截面,所述頂面的寬度為第一寬度,所述截面的寬度為第二寬度,所述第二寬度小于所述第一寬度,其中,所述頂面的寬度為在頂面處兩個(gè)第一側(cè)面之間的距離;所述截面的寬度為在截面處兩個(gè)第一側(cè)面之間的距離。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述塑封料貼合每個(gè)引腳的兩個(gè)第一側(cè)面。
3.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述電連接體為導(dǎo)電凸塊,所述芯片通過(guò)所述導(dǎo)電凸塊電連接到所述引線框架上。
4.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述電連接體為金屬引線,所述芯片通過(guò)所述金屬引線電連接到所述引線框架上。
5.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述頂面、底面及截面相互平行。
6.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述頂面、底面及截面的形狀均為矩形。
7.如權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述頂面與所述底面之間的截面寬度,由頂面至底面先依次減小,然后保持不變。
8.如權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述頂面與所述底面之間具有一中間面,所述頂面與所述中間面之間的截面面積,由頂面至中間面先依次減小,然后依次增大;所述底面與所述中間面之間的截面面積,由底面至中間面先依次減小,然后依次增大。
9.如權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述頂面與所述底面之間的截面寬度,由頂面至底面先依次減小,然后依次增大。
10.一種封裝結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,包括:
形成引線框架,所述引線框架包括多個(gè)引腳,所述引腳用于電連接芯片的一面為頂面,與所述頂面相對(duì)的一面為底面,所述頂面和底面之間的側(cè)面為兩個(gè)相對(duì)的第一側(cè)面及兩個(gè)相對(duì)的第二側(cè)面,所述第一側(cè)面比所述第二側(cè)面狹長(zhǎng);所述頂面和底面之間至少具有一截面,所述頂面的寬度為第一寬度,所述截面的寬度為第二寬度,所述第二寬度小于所述第一寬度,其中,所述頂面的寬度為在頂面處兩個(gè)第一側(cè)面之間的距離;所述截面的寬度為在截面處兩個(gè)第一側(cè)面之間的距離;
通過(guò)電連接體將芯片層電連接到所述引線框架中的引腳的頂面;
利用塑封料囊封所述芯片層、電連接體及引線框架。
11.如權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述塑封料貼合每個(gè)引腳的兩個(gè)第一側(cè)面。
12.如權(quán)利要求11所述的封裝結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,形成引線框架包括:
提供多個(gè)金屬塊;
對(duì)所述多個(gè)金屬塊執(zhí)行沖壓工藝以形成多個(gè)引腳,所述引腳的頂面與底面之間的截面寬度,由頂面至底面先依次減小,然后保持不變。
13.如權(quán)利要求11所述的封裝結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,形成引線框架包括:
提供一金屬板;
在所述金屬板的頂面與底面設(shè)置特定圖案的抗蝕刻膜,暴露出部分金屬板;
用蝕刻液在預(yù)定時(shí)間段內(nèi)刻蝕暴露的金屬板使得金屬板斷開(kāi)以形成多個(gè)引腳,所述引腳的頂面與底面之間具有一中間面,所述頂面與所述中間面之間的截面面積,由頂面至中間面先依次減小,然后依次增大;所述底面與所述中間面之間的截面面積,由底面至中間面先依次減小,然后依次增大;或者所述引腳的頂面與底面之間的截面寬度,由頂面至底面先依次減小,然后依次增大。
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