[發明專利]用于探針卡的空間轉換器的制造方法有效
| 申請號: | 201410037002.8 | 申請日: | 2014-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN104076172B | 公開(公告)日: | 2017-01-18 |
| 發明(設計)人: | 周冠軍;徐火剛;楊惠彬;王千魁 | 申請(專利權)人: | 旺矽科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G01R1/073 | 分類號: | G01R1/073;G01R3/00 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司11245 | 代理人: | 關暢,王燕秋 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 探針 空間 轉換器 制造 方法 | ||
技術領域
本發明與用于探針卡的空間轉換器有關,特別是指一種用于探針卡的空間轉換器的制造方法。
背景技術
探針卡通常包含有一用于直接與測試機臺的訊號傳輸接點電性連接的主電路板,以及一固設于該主電路板下表面的空間轉換器(space?transformer;簡稱ST)。該空間轉換器的上表面具有多個間距較大的導電接點,用于與該主電路板電性連接。該空間轉換器的下表面則凸伸出多個間距較小的導電接點,用于接設多個探針,使得各探針的針距相當小而可對尺寸相當小的電子元件進行點測。
一般探針卡的空間轉換器通常為一具有多層結構的電路板,通過其各層的布線設計而使得上、下表面的導電接點間距不同。然而,單一電路板式的空間轉換器通常需要層數很多、厚度很大的電路板,該電路板不但制造上較為困難,且通常為依照待測物電性接點排列方式而對應設計的專用電路板,因此成本較高。
市面上另一種空間轉換器由一面積較大的第一基板及多個面積較小的第二基板所組成,該第一基板的上、下表面分別具有間距較大的導電接點及間距較小的導電接點,各該第二基板上表面的導電接點與第一基板下表面的導電接點相配合,各該第二基板的下表面則具有用于接設探針的間距更小的導電接點。由此,將各第二基板上表面的導電接點電性導通地固設于該第一基板下表面的導電接點,即可形成空間轉換器,且此種空間轉換器采用的電路板(意即第一、二基板)不但厚度較小而較容易制造,且針對不同的待測物只要替換不同的第二基板即可,意即,不同規格的空間轉換器可使用相同的第一基板。
上述由多個基板所組成的空間轉換器中,各該第二基板通常是由錫球回焊(reflow)而固定于該第一基板,而且,各該第二基板接設的探針用于同時對多個待測物進行點測,例如晶圓即將分別切割成一晶粒的多個區塊即可視為多個待測物,而需分別通過一該第二基板接設的探針進行點測;意即,該空間轉換器為一種多待測物用空間轉換器(Multi-DUT(device?under?test)ST)。
然而,各該第二基板在進行回焊時容易從預定的位置稍微位移,造成各該第二基板的相對位置無法對應于各待測物的電性接點所排列的相對位置,而且,各該第二基板在進行回焊時也容易傾斜,造成其接設的探針的點測端高度參差不齊。因此,上述空間轉換器在設置探針時還必須再利用調整機構調整探針的位置及平整度,進而增加探針卡制程的復雜度。
發明內容
針對上述問題,本發明的主要目的在于提供一種用于探針卡的空間轉換器的制造方法,其用于制造由多個基板組成的空間轉換器,且該空間轉換器所接設的探針不需再調整位置及平整度,因此可降低探針卡制程的復雜度。
為達到上述目的,本發明所提供的一種用于探針卡的空間轉換器的制造方法,包含有下列步驟:a)在一第一基板上固設多個第二基板,并使得所述第一基板與各所述第二基板電性連接;b)利用微影技術在各所述第二基板上設置一絕緣強化層,且各所述絕緣強化層具有多個穿孔;c)在各所述穿孔內分別形成一與所述第二基板固定并電性連接的導電塊。
上述本發明的技術方案中,在所述步驟c)之后還將各所述導電塊平坦化。
所述第一基板為多層陶瓷板,各所述第二基板為多層有機板。
所述步驟c)通過電鍍形成各所述導電塊。
所述步驟c)為先設置一與所述第一基板電性連接的導電件及一包覆所述導電件的治具,所述治具包含有至少一容置槽;再將電解液注入所述容置槽,進而通過電鍍在各所述絕緣強化層的穿孔內形成各所述導電塊。
所述治具包含有一上構件及一下構件,所述第一基板及所述導電件被夾持在所述上構件與所述下構件之間。
所述治具更包覆所述第一基板及所述第一基板與各所述第二基板的接合處,且所述治具包含有多個所述容置槽,各所述容置槽分別形成在各所述絕緣強化層上。
所述治具分別隔著一擋水件而壓抵于各所述絕緣強化層。
各所述第二基板容設于單一個所述容置槽中。
所述治具隔著一擋水件而壓抵于所述第一基板。
所述步驟c)中,在將電解液注入所述容置槽之前,更在各所述第二基板與所述第一基板之間黏設防水膠,以避免電解液接觸所述第一基板與各所述第二基板的接合處。
所述步驟c)之后還具有一步驟d),以去除各所述絕緣強化層。
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