[發明專利]一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板制造方法

無效

• 申請號: 201410036343.3
• 申請日: 2014-01-24
• 公開（公告）號: CN103779357A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 張鋒;曹占鋒;姚琪;谷敬霞
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

設置在同一層的柵極和公共電極，或者設置在同一層的源漏極和像素電極，其中，

柵極和公共電極設置在同一層時，所述公共電極與所述柵極使用同一材料制作，且所述公共電極的厚度小于所述柵極的厚度，所述公共電極形成有多個狹縫，所述公共電極的透過率大于30%；

源漏極和像素電極設置在同一層時，所述像素電極與所述源漏極使用同一材料制作，且所述像素電極的厚度小于所述源漏極的厚度，所述像素電極形成有多個狹縫，所述像素電極的透過率大于30%。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，柵極材料或源漏極材料具體為Al、Cu、Mo、AlNd、Cr、Ti、Ag的單層金屬膜或者多層復合膜，或者具有金屬/介質一維光子晶體結構的復合膜。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極材料具體為Ag的單層金屬膜，且

所述柵極的厚度為所述公共電極的厚度為

4.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極材料具體為包括ZnS、Ag、ZnS、Ag的復合膜，其中ZnS、Ag、ZnS、Ag沿著由基板指向復合膜的方向依次設置，且

所述柵極中ZnS、Ag、ZnS、Ag的厚度分別為所述公共電極中僅包括ZnS、Ag、ZnS層，厚度分別為

5.如權利要求1至4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極或像素電極的厚度為透過率為30%～90%。

6.如權利要求1至4任一項所述的陣列基板，其特征在于，公共電極和像素電極均形成有多個狹縫，且公共電極的狹縫與像素電極的狹縫平行。

7.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極中的狹縫在基板上的投影，與像素電極中的狹縫在基板上的投影不重合。

8.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

沉積源漏極材料；

利用雙色調掩膜，在源漏極材料上形成圖案化的光刻膠；

進行刻蝕形成源漏極圖案后，通過灰化工藝對所述光刻膠進行減薄，露出像素電極區域的源漏極材料；

再次進行刻蝕，形成像素電極圖案。

9.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上沉積柵極材料；

利用雙色調掩膜，在柵極材料上形成圖案化的光刻膠；

進行刻蝕形成柵極圖案后，通過灰化工藝對所述光刻膠進行減薄，露出公共電極區域的柵極材料；

再次進行刻蝕，形成公共電極圖案。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1～7任一所述的陣列基板。