[發(fā)明專利]一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410036343.3
• 申請日: 2014-01-24
• 公開（公告）號: CN103779357A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張鋒;曹占鋒;姚琪;谷敬霞
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板制造方法。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD）具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)（ADvanced?Super?Dimension?Switch，簡稱ADS）通過同一平面內(nèi)像素間電極產(chǎn)生邊緣電場，使電極間以及電極正上方的取向液晶分子都能在平面方向（平行于基板）產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，在增大視角的同時(shí)提高液晶層的透光效率。

圖1是目前的ADS模式液晶顯示陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板自下而上分別通過5次掩膜工藝來制作完成，依次是在玻璃基板10上制作公共電極13時(shí)的掩膜、制作柵極11和公共電極連接線12時(shí)的掩膜、制作有源層和源漏極的掩膜、和制作鈍化層過孔的掩膜、制作像素電極14的掩膜。

目前，公共電極13和柵極11分別采用透明導(dǎo)電金屬氧化物薄膜和金屬材料，通過兩次掩膜工藝來完成，工藝相對復(fù)雜，成本較高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板制造方法，以簡化陣列基板的制作工藝，并提高陣列基板的顯示效果。

一種陣列基板，包括：

設(shè)置在同一層的柵極和公共電極，或者設(shè)置在同一層的源漏極和像素電極，其中，

柵極和公共電極設(shè)置在同一層時(shí)，所述公共電極與所述柵極使用同一材料制作，且所述公共電極的厚度小于所述柵極的厚度，所述公共電極形成有多個(gè)狹縫，所述公共電極的透過率大于30%；

源漏極和像素電極設(shè)置在同一層時(shí)，所述像素電極與所述源漏極使用同一材料制作，且所述像素電極的厚度小于所述源漏極的厚度，所述像素電極形成有多個(gè)狹縫，所述像素電極的透過率大于30%。

由于通過同一材料來制作柵極和公共電極，可以減小工藝難度，公共電極的厚度小于柵極的厚度，保證的公共電極的透過率，并且，可以進(jìn)一步通過一次雙色調(diào)掩膜制作同一層的柵極和公共電極，或通過一次雙色調(diào)掩膜制作同一層的源漏極和像素電極，節(jié)省一次掩膜，降低了工藝復(fù)雜度和工藝成本。

進(jìn)一步，柵極材料或源漏極材料具體為Al、Cu、Mo、AlNd、Cr、Ti、Ag的單層金屬膜或者多層復(fù)合膜，或者具有金屬/介質(zhì)一維光子晶體結(jié)構(gòu)的復(fù)合膜。

較佳的，為獲得較好的透過率，所述柵極材料具體為Ag的單層金屬膜，且

所述柵極的厚度為所述公共電極的厚度為

或者，為獲得較好的透過率，所述柵極材料具體為包括ZnS、Ag、ZnS、Ag的復(fù)合膜，其中ZnS、Ag、ZnS、Ag沿著由基板指向復(fù)合膜的方向依次設(shè)置，且

所述柵極中ZnS、Ag、ZnS、Ag的厚度分別為所述公共電極中僅包括ZnS、Ag、ZnS層，厚度分別為

較佳的，所述公共電極或像素電極的厚度為透過率為30%～90%。

進(jìn)一步，為減小公共電極和像素電極之間的存儲電容，公共電極和像素電極均形成有多個(gè)狹縫，且公共電極的狹縫與像素電極的狹縫平行。

更進(jìn)一步，為進(jìn)一步公共電極和像素電極之間的存儲電容，所述公共電極中的狹縫在基板上的投影，與像素電極中的狹縫在基板上的投影不重合。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板的制造方法，包括：

沉積源漏極材料；

利用雙色調(diào)掩膜，在源漏極材料上形成圖案化的光刻膠；

進(jìn)行刻蝕形成源漏極圖案后，通過灰化工藝對所述光刻膠進(jìn)行減薄，露出像素電極區(qū)域的源漏極材料；

再次進(jìn)行刻蝕，形成像素電極圖案。

通過一次掩膜制作的源漏極和像素電極，節(jié)省了一次掩膜，簡化了陣列基板的制作工藝。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板的制造方法，包括：

在基板上沉積柵極材料；

利用雙色調(diào)掩膜，在柵極材料上形成圖案化的光刻膠；

進(jìn)行刻蝕形成柵極圖案后，通過灰化工藝對所述光刻膠進(jìn)行減薄，露出公共電極區(qū)域的柵極材料；

再次進(jìn)行刻蝕，形成公共電極圖案。

由于通過一次掩膜制作了柵極和公共電極，節(jié)省了一次掩膜，簡化了陣列基板的制作工藝。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。