[發(fā)明專利]閃存存儲器工作性能仿真方法和裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410035936.8
• 申請日: 2014-01-24
• 公開（公告）號: CN103778970A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭建平;湛燦輝
• 申請（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種閃存存儲器工作性能仿真方法和裝置。?

背景技術(shù)

隨著閃存設(shè)計思路的不斷進(jìn)步和生產(chǎn)工藝不斷的更新，閃存存儲器（Flash?Memory）的尺寸一再縮小，在小尺寸的閃存存儲器的條件下保證穩(wěn)定的閃存存儲器存儲功能和高可靠性顯得尤為重要。因此，在對閃存存儲器的研發(fā)階段，需要考慮閃存存儲器進(jìn)行老化仿真研究。?

現(xiàn)有技術(shù)中，可以通過設(shè)置一個閃存存儲器仿真模型，閃存存儲器仿真模型包括至少一個閃存存儲單元仿真模型，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中閃存存儲單元仿真模型示意圖，如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的閃存存儲器單元仿真模型包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal?Oxide?Semiconductor，簡稱：MOS管）仿真模型、仿真電源（V_FG）模型、等效應(yīng)力引起的泄露電流（Stress?Induced?Leakage?Current，簡稱：SILC）（I_SILC）的電流源模型、等效福勒－諾德海姆(Fowler-Nordheim，簡稱：FN）隧穿電流（I_FN）的電流源模型，仿真電源模型用于仿真浮柵極（Floating?Gate，簡稱：FG）的電壓（V_FG）。MOS管仿真模型包括：控制柵極（Control?Gate，簡稱：CG）的電壓（V_CG）、FG的電容（C_FC）、FG的電壓（V_FG）、源極（Source，簡稱：S）的電壓（V_S）、漏極（Drain，簡稱：D）的電壓（V_D）、襯底極（Substrate，簡稱：SUB）的電壓（V_B）。該閃存存儲單元（Flash?Memory?cell）仿真模型基于電中性原理，即穩(wěn)定時，F(xiàn)G極的電荷總量為0。Q（MOS）為MOS管上的電荷、Q（C_FC）為FG上的電荷、Q（W/E）為I_SILC和I_FN的電荷，即Q（MOS）+Q（C_FC）-Q（W/E）=0。由于圖1所示的模型引入了I_SILC電流源模型和I_FN電流源模型等，因此能夠模擬Flash?Memory?cell的read（讀）、program（寫）、erase（擦除）等性能。?

然而，閃存存儲器是由多個Flash?Memory?cell組成的（如成千上萬個Flash?Memory?cell），難以在仿真過程中確定各個Flash?Memory?cell的FG的電壓，從而難以實現(xiàn)閃存存儲器的仿真。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種閃存存儲器工作性能仿真方法和裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，實現(xiàn)了對閃存存儲器的仿真。?

第一方面，本發(fā)明實施例提供一種閃存存儲器工作性能仿真方法，包括：根據(jù)閃存存儲器仿真模型，獲取閃存存儲器在工作第一時間后的老化后的物理參數(shù)，所述閃存存儲器仿真模型包括至少一個閃存存儲單元仿真模型，所述閃存存儲單元仿真模型包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOS管仿真模型、等效福勒－諾德海姆FN隧穿電流的電流源模型、等效應(yīng)力引起的泄露電流SILC的電流源模型、等效浮柵電荷變化的電源模型和仿真運算放大器，所述等效浮柵電荷變化的電源的負(fù)極與所述MOS管仿真模型的控柵極連接，所述等效浮柵電荷變化的電源模型的正極與所述MOS管仿真模型的浮柵極連接，所述仿真運算放大器與所述MOS管仿真模型的襯底極連接；?

根據(jù)所述老化后的物理參數(shù)和所述閃存存儲器仿真模型，獲取老化后的所述閃存存儲器的工作性能。?

在第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式中，所述根據(jù)閃存存儲器仿真模型，獲取所述閃存存儲器在工作第一時間后的老化后的物理參數(shù)，包括：?

根據(jù)預(yù)設(shè)的閃存存儲器仿真模型，獲取所述閃存存儲器在所述第一時間內(nèi)的飽和電流退化百分比；?

根據(jù)所述飽和電流退化百分比，獲取所述閃存存儲器在工作所述第一時間后的老化后的物理參數(shù)。?

結(jié)合第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式，在第一方面的第二種可能的實現(xiàn)方式中，所述根據(jù)閃存存儲器仿真模型，獲取所述閃存存儲器在所述第一時間內(nèi)的飽和電流退化百分比，包括：?

獲取所述閃存存儲器仿真模型中各閃存存儲單元在仿真時間Δt內(nèi)的漏源極電壓和柵源極電壓；?